GD100HFQ120C1SD, IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

162

100

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

200

A

PD

Максималды қуаттылық vj =175o C

595

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

100

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

200

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=100A,V ГЭ =15В, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=100A,V ГЭ =15В, T vj =125o C

2.25

IC=100A,V ГЭ =15В, T vj =150o C

2.35

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=4.0mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

7.5

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

10.8

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.30

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

0.84

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=100A, R G=5.1Ω, V ГЭ =±15В, LСек =45nH ,T vj =25o C

59

н

t r

Күтерілу уақыты

38

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

209

н

t f

Күз мезгілі

71

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

11.2

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

3.15

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=100A, R G=5.1Ω, V ГЭ =±15В, LСек =45nH ,T vj =125o C

68

н

t r

Күтерілу уақыты

44

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

243

н

t f

Күз мезгілі

104

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

14.5

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

4.36

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=100A, R G=5.1Ω, V ГЭ =±15В, LСек =45nH ,T vj =150o C

71

н

t r

Күтерілу уақыты

46

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

251

н

t f

Күз мезгілі

105

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

15.9

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

4.63

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =150o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

400

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =100A,V ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =100A,V ГЭ =0В,Т vj =125o C

1.90

IF =100A,V ГЭ =0В,Т vj =150o C

1.95

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =100A,

-ди/дt=961А/мкс,V ГЭ =-15В LСек =45nH ,T vj =25o C

7.92

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

46.4

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

2.25

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =100A,

-ди/дt=871А/мкс,V ГЭ =-15В LСек =45nH ,T vj =125o C

15.0

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

54.5

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

5.08

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =100A,

-ди/дt=853А/мкс,V ГЭ =-15В LСек =45nH ,T vj =150o C

18.8

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

58.9

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

6.67

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

30

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.75

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.252 0.446

К/W

R тХ

Қорап —дейін —Жылу сорғышы (perIGBT )Корпус-радиатор (pe r Диод) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.157 0.277 0.050

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

150

g