GD100HFQ120C1SD, IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o C @ T Ц =100 o Ц

162

100

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

200

А

P D

Максималды қуаттылық vj =175 o Ц

595

W

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

100

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

200

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o Ц

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =100A,V ГЭ =15В, T vj =25 o Ц

1.85

2.30

V

I Ц =100A,V ГЭ =15В, T vj =125 o Ц

2.25

I Ц =100A,V ГЭ =15В, T vj =150 o Ц

2.35

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =4,0 mА ,V CE = V ГЭ , T vj =25 o Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25 o Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

7.5

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

10.8

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.30

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

0.84

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =100A, R G =5.1Ω, V ГЭ =±15В, L С =45 nH ,T vj =25 o Ц

59

н

t r

Күтерілу уақыты

38

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

209

н

t f

Күз мезгілі

71

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

11.2

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

3.15

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =100A, R G =5.1Ω, V ГЭ =±15В, L С =45 nH ,T vj =125 o Ц

68

н

t r

Күтерілу уақыты

44

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

243

н

t f

Күз мезгілі

104

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

14.5

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

4.36

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =100A, R G =5.1Ω, V ГЭ =±15В, L С =45 nH ,T vj =150 o Ц

71

н

t r

Күтерілу уақыты

46

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

251

н

t f

Күз мезгілі

105

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

15.9

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

4.63

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =150 o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

400

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =100A,V ГЭ =0В,Т vj =2 5o Ц

1.85

2.30

V

I F =100A,V ГЭ =0В,Т vj =125 o Ц

1.90

I F =100A,V ГЭ =0В,Т vj =150 o Ц

1.95

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =100A,

-ди/дt=961А/мкс,V ГЭ =-15В L С =45 nH ,T vj =25 o Ц

7.92

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

46.4

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

2.25

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =100A,

-ди/дt=871А/мкс,V ГЭ =-15В L С =45 nH ,T vj =125 o Ц

15.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

54.5

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

5.08

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =100A,

-ди/дt=853А/мкс,V ГЭ =-15В L С =45 nH ,T vj =150 o Ц

18.8

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

58.9

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

6.67

мЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

30

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.75

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш -дейін -Кейс (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.252 0.446

К/W

R тХ

Кейс -дейін -Жылу сорғышы (perIGBT )Корпус-радиатор (pe r Диод) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.157 0.277 0.050

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Салмақ туралы Модуль

150

g