GD100HCX170C6SA ,IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o C @ T Ц =100 o Ц

196

100

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

200

А

P D

Максималды қуаттылық vj =175 o Ц

815

W

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

100

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

200

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o Ц

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =100A,V ГЭ =15В, T vj =25 o Ц

1.85

2.20

V

I Ц =100A,V ГЭ =15В, T vj =125 o Ц

2.25

I Ц =100A,V ГЭ =15В, T vj =150 o Ц

2.35

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =4.00 mА ,V CE = V ГЭ , T vj =25 o Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25 o Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

7.5

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

12.0

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.29

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

0.94

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =100A, R G =1.0Ω,V ГЭ =±15В, LS =52 nH ,T vj =25 o Ц

196

н

t r

Күтерілу уақыты

44

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

298

н

t f

Күз мезгілі

367

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

26.4

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

14.7

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =100A, R G =1.0Ω,V ГЭ =±15В, LS =52 nH ,T vj =125 o Ц

217

н

t r

Күтерілу уақыты

53

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

361

н

t f

Күз мезгілі

516

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

36.0

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

21.0

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =100A, R G =1.0Ω,V ГЭ =±15В, LS =52 nH ,T vj =150 o Ц

223

н

t r

Күтерілу уақыты

56

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

374

н

t f

Күз мезгілі

551

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

39.1

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

22.4

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =150 o C,V CC =1000V,

V КЕМ ≤1700В

400

А

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

1.10

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш -дәйексіз -Іс (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.184 0.274

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.060 0.090 0.009

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

350

g