Диод модуль, YMDBD1200-45, TFM1200XDM45-D200

符号

Символ

параметр атауы

Параметр

тестілеу шарттары

Сынақ шарттары

мән

Мәні

бірлік

Бірлік

V РРМ

қайталанатын шыңдық кернеу

Қайталанатын кернеу

T C= 25 °C

4500

V

Мен F

тікелей тұрақты ток

Тікелей ток

Тұрақты тағам

1200

A

Мен ҚРМ

тікелей қайталанатын шыңдық ток

Шың алға ағым

t P = 1 мс

2400

A

Мен FSM

浪涌电流

Қаттылық тогы

V R =0В, t P = 10ms, T vj = 25 °C

TBD

A

Мен 2t

Мен 2t мән

Мен 2t

V R =0В, t P = 10ms, T vj = 25 °C

530

kA2сек

V тұтастығы

绝缘 электр қысымы (модуль )

Оқшаулау кернеу —бір модуль

барлық терминалдарды қысқа тұйықтау, терминал мен негіз тақтасы арасында кернеу қолдану ( Біріктірілген терминалдар негіз тақтаға), AC RMS,1 мин, 50Гц, T C= 25 °C

10200

V

С ДҚ

жергілікті разряд заряды (модуль )

Жартылай разряд —бір модуль

IEC1287. V 1=6900V, V 2=5100V, 50Hz

РМС ,T C= 25 °C

10

пК

符号

Символ

параметр атауы

Параметр

条件

Сынақ шарттары

ең кішігірім мәні Мин.

типтік мән Тип.

ең жоғары мән

Макс.

бірлік

Бірлік

Мен РРМ

қайталанатын теріс ток

Қайталанатын кері

жүк

V RM = V РРМ

1

mА

V RM = V РРМ , T C=125 °C

50

mА

V F

正向电压

Алға кернеу

Мен F = 1200A

2.70

V

Мен F = 1200А, T vj = 125 °C

3.10

V

С рр

теріс қалпына келтіру заряды

Кері қалпына келтіру

заряд

V CC = 2800V, Мен F =1200A, - d мен F /dt = 3800A/μs,

R G(ON) =1,5Ω ,

CГЭ =220nF,

LСек =150nH,

(T vj = 125 °C).

IGBT:

TIM1200ASM45-PSA011

T vj = 25 °C

1220

μC

T vj = 125 °C

1750

μC

Мен рр

кері қалпына келтіру ток

Кері қалпына келтіру

жүк

T vj = 25 °C

1320

A

T vj = 125 °C

1420

A

Eрек

теріс қалпына келтіру шығыны

Кері қалпына келтіру

энергия

T vj = 25 °C

2.60

Ж

T vj = 125 °C

3.90

Ж