Қысқаша кіріспе
IGBT модулі , STARPOWER компаниясымен өндірілген. 1200В 400А.
Сипаттамалар
- NPT IGBT технологиясы
- 10 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
- Қалпына келтіруден кететін шығындар аз
- Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
- Төмен индуктивтілік корпусы
- Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
- DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы
Үлгілік Қолданбалар
- Қосқыш режиміндегі қуат көзі
- Индуктивті қыздыру
- Электронды дәнекерлеуші
Абсолютті Максимум Рейтингтер T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
IGBT
Символ |
Сипаттама |
Мәні |
Бірлік |
ККЕЖ |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
1200 |
V |
VGES |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
±20 |
V |
IC |
Коллектор тогы @ TC=25oC
@ TC=70oC
|
549
400
|
А |
ICM |
Импульсны коллектор токы tp=1ms |
800 |
А |
ДҚ |
Максималды қуат жоғалту @ T =150oC |
2659 |
W |
Диод
Символ |
Сипаттама |
Мәні |
Бірлік |
VRRM |
Қайталанатын ең жоғары кері кернеу |
1200 |
V |
IF |
Диодты үздіксіз алдыңғы ток |
400 |
А |
Ifm |
Діод максималды жауапкерші токы tp=1ms |
800 |
А |
Модуль
Символ |
Сипаттама |
Мәні |
Бірлік |
Tjmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
150 |
oC |
Тжоп |
Жұмыс қиылысының температурасы |
-40-дан +125-ге дейін |
oC |
ТСТГ |
Сақтау температурасы |
-40-дан +125-ге дейін |
oC |
VISO |
Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин |
2500 |
V |
IGBT Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
|
V (Солтүстік Қазақстан)
|
Жинақтаушыдан эмитентке
Қанығу кернеуі
|
I Ц = 400А,В ГЭ =15В, T ж =25 o Ц |
|
2.90 |
3.35 |
V
|
I Ц = 400А,В ГЭ =15В, T ж =125 o Ц |
|
3.60 |
|
V ГЭ (th ) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу |
I Ц = 16,0 мА,В CE =V ГЭ , T ж =25 o Ц |
4.5 |
5.5 |
6.5 |
V |
I CES |
Жинақтаушы Жібек -Ашылған
Жүк
|
V CE = V CES ,V ГЭ =0В,
T ж =25 o Ц
|
|
|
5.0 |
mА |
I ГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк |
V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц |
|
|
400 |
nA |
R Гинт |
Ішкі қақпаның кедергісі лық |
|
|
0.6 |
|
ω |
Ц лар |
Кіріс сыйымдылығы |
V CE =25В,f=1Мхц,
V ГЭ =0В
|
|
26.0 |
|
нФ |
Ц ре |
Кері ауыстыру
Қуаттылық
|
|
1.70 |
|
нФ |
Q G |
Қақпалық төлем |
V ГЭ =- 15...+15В |
|
4.2 |
|
μC |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =400А, R G =2.2Ω,
V ГЭ =±15В, T ж =25 o Ц
|
|
76 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
57 |
|
н |
t d (ашылған ) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
529 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
73 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу
Жоғалту
|
|
5.2 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру
Жоғалту
|
|
23.2 |
|
мЖ |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =400А, R G =2.2Ω,
V ГЭ =±15В, T ж = 125o Ц
|
|
81 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
62 |
|
н |
t d (ашылған ) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
567 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
81 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу
Жоғалту
|
|
9.9 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру
Жоғалту
|
|
31.7 |
|
мЖ |
|
I SC
|
SC деректері
|
t P ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,
T ж =125 o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В
|
|
2800
|
|
А
|
Диод Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
V F |
Алға қарай диод
Кернеу
|
I F = 400А,В ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц |
|
1.96 |
2.31 |
V |
I F = 400А,В ГЭ =0В,Т ж = 125o Ц |
|
1.98 |
|
Q r |
Алынған айыппұл |
V R = 600В,I F =400А,
-di/dt=6000A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25 o Ц
|
|
24.9 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері
Қайта қалпына келтіру тогы
|
|
317 |
|
А |
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
16.0 |
|
мЖ |
Q r |
Алынған айыппұл |
V R = 600В,I F =400А,
-di/dt=6000A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 125o Ц
|
|
35.5 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері
Қайта қалпына келтіру тогы
|
|
391 |
|
А |
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
21.4 |
|
мЖ |
Модуль Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
L CE |
Айналадағы индуктивтілік |
|
|
20 |
nH |
R CC+EE |
Модульдің қорғасын кедергісі nce, Терминалдан Чипке |
|
0.18 |
|
mΩ |
R тЖК |
Қатысу (IGB бойынша) Т)
Джункция-дан-Кейс (әр Di од)
|
|
|
0.047
0.100
|
К/W |
|
R тХ
|
Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)
Корпус-радиатор (pe r Диод)
Корпус-радиатор (per M одуль)
|
|
0.015
0.031
0.010
|
|
К/W |
М |
Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
Н.М |
G |
Салмағы туралы Модуль |
|
300 |
|
g |
EN
