GD400SGU120C2S,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

ККЕЖ

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

VGES

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор тогы @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

A

ICM

Импульсны коллектор токы tp=1ms

800

A

ДҚ

Максималды қуат жоғалту @ T =150oC

2659

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

VRRM

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

400

A

Ifm

Діод максималды жауапкерші токы tp=1ms

800

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

Tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

150

oC

Тжоп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +125-ге дейін

oC

ТСТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

oC

VISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IC= 400А,В ГЭ =15В, T ж =25o C

2.90

3.35

V

IC= 400А,В ГЭ =15В, T ж =125o C

3.60

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC= 16,0 мА,В CE =V ГЭ , T ж =25o C

4.5

5.5

6.5

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған

Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25o C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.6

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

26.0

нФ

Cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.70

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

4.2

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=400А, R G=2.2Ω,

V ГЭ =±15В, T ж =25o C

76

н

t r

Күтерілу уақыты

57

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

529

н

t f

Күз мезгілі

73

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

5.2

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

23.2

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=400А, R G=2.2Ω,

V ГЭ =±15В, T ж = 125o C

81

н

t r

Күтерілу уақыты

62

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

567

н

t f

Күз мезгілі

81

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

9.9

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

31.7

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

T ж =125o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

2800

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

IF = 400А,В ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.96

2.31

V

IF = 400А,В ГЭ =0В,Т ж = 125o C

1.98

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =400А,

-di/dt=6000A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25o C

24.9

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

317

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

16.0

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =400А,

-di/dt=6000A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 125o C

35.5

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

391

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

21.4

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі nce, Терминалдан Чипке

0.18

mΩ

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.047

0.100

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Корпус-радиатор (pe r Диод)

Корпус-радиатор (per M одуль)

0.015

0.031

0.010

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g