GD600HFY120C6S,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C

@ ტ C= 100o C

1090

600

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1200

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

3947

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

600

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1200

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Სიჩარე

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 წუთი

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=600A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.70

2.15

V

IC=600A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

1.90

IC=600A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

1.95

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T ჯ =25o C

5.2

5.8

6.4

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V,

T ჯ =25o C

1.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.7

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

62.1

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

1.74

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =- 15…+15V

4.62

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=600A, Რ G=1.5Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

136

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

77

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

494

n

t f

Შემოდგომის დრო

72

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

53.1

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

48.4

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=600A, Რ G=1.5Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =125o C

179

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

77

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

628

n

t f

Შემოდგომის დრო

113

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

70.6

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

74.2

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=600A, Რ G=1.5Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =150o C

179

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

85

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

670

n

t f

Შემოდგომის დრო

124

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

76.5

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

81.9

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs,V GE =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

IF =600A,V GE =0V,T ჯ =25o C

1.95

2.40

V

IF =600A,V GE =0V,T ჯ =125o C

2.05

IF =600A,V GE =0V,T ჯ =150o C

2.10

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, T ჯ =25o C

58.9

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

276

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

20.9

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, T ჯ =125o C

109

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

399

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

41.8

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, T ჯ =150o C

124

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

428

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

48.5

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

δR/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C= 100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2-

1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2-

1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2-

1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.038

0.066

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.028

0.049

0.009

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

350

g