GD600HFY120C6S,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C

@ ტ C = 100o C

1090

600

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1200

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 o C

3947

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

600

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1200

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

1.70

2.15

V

I C =600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 o C

1.90

I C =600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 o C

1.95

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =24.0 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 o C

5.2

5.8

6.4

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული

Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 o C

1.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.7

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V Გენერალური საწარმოები =0V

62.1

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

1.74

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V

4.62

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A, R G =1.5Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

136

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

77

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

494

n

t f

Შემოდგომის დრო

72

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

53.1

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

48.4

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A, R G =1.5Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125 o C

179

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

77

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

628

n

t f

Შემოდგომის დრო

113

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

70.6

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

74.2

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A, R G =1.5Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =150 o C

179

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

85

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

670

n

t f

Შემოდგომის დრო

124

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

76.5

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

81.9

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

I F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 o C

1.95

2.40

V

I F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125 o C

2.05

I F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =150 o C

2.10

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V, T ჯ =25 o C

58.9

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

276

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

20.9

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V, T ჯ =125 o C

109

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

399

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

41.8

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V, T ჯ =150 o C

124

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

428

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

48.5

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

R 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

δR/R

Გადახრა of R 100

T C = 100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ენერგია

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

R thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.038

0.066

Კვ/ვ

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.028

0.049

0.009

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

350

g