GD400CLU120C2SD, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Მე C

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C@ ტ C=60o C

519

400

A

Მე Სმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

800

A

PD

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =150o C

2450

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

Მე F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

400

A

Მე FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

800

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +125-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Მე C=400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25o C

2.90

3.35

V

Მე C=400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125o C

3.60

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Მე C=16.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T vj =25o C

4.5

5.5

6.5

V

Მე CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი —Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25o C

5.0

mA

Მე Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.6

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

26.0

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

1.70

nF

Კ Გ

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

4.2

μC

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=400A, Რ Გ =2.2Ω, LᲬმ =30nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =25o C

252

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

63

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

427

n

t f

Შემოდგომის დრო

44

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

24.7

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

16.5

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=400A, Რ Გ =2.2Ω, LᲬმ =30nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =125o C

258

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

65

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

465

n

t f

Შემოდგომის დრო

57

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

35.2

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

22.6

mJ

Მე SC

Ს.კ. მონაცემები

t P≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =125o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1600

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

30

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

0.35

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი —– —Შემთხვევა (perIGBT ) Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.051 0.114

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.019 0.042 0.010

Კვ/ვ

Წთ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M5 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

Გ

Წონა შემდეგი Მოდული

300

გ