GD400CLU120C2SD, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C @ ტ C =60 o C

519

400

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

800

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =150 o C

2450

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

400

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

800

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +125-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 o C

2.90

3.35

V

I C =400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 o C

3.60

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =16.0 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T vj =25 o C

4.5

5.5

6.5

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.6

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

26.0

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

1.70

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

4.2

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, R G =2.2Ω, L S =30 nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =25 o C

252

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

63

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

427

n

t f

Შემოდგომის დრო

44

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

24.7

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

16.5

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, R G =2.2Ω, L S =30 nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =125 o C

258

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

65

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

465

n

t f

Შემოდგომის დრო

57

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

35.2

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

22.6

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =125 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1600

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

30

nH

R CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

0.35

mΩ

R thJC

Გადასასვლელი -რომ -Შემთხვევა (perIGBT ) Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.051 0.114

Კვ/ვ

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.019 0.042 0.010

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M5 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

300

g