GD200HFX120C2SA_B36, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C

@ ტ C =100 o C

340

200

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

400

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 o C

1190

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

200

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

400

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

1.70

2.15

V

I C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 o C

1.95

I C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 o C

2.00

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =8.0 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული

Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 o C

1.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

3.75

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V Გენერალური საწარმოები =0V

20.7

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

0.58

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V

1.55

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, R G =1. 1Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

150

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

32

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

330

n

t f

Შემოდგომის დრო

93

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

9.7

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

11.3

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, R G =1. 1Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125 o C

161

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

37

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

412

n

t f

Შემოდგომის დრო

165

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

20.2

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

17.0

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, R G =1. 1Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =150 o C

161

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

43

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

433

n

t f

Შემოდგომის დრო

185

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

22.4

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

19.1

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

800

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

I F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 o C

2.40

2.90

V

I F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 25o C

1.95

I F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 50o C

1.80

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =25 o C

20.3

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

160

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

8.0

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =125 o C

38.4

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

201

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

14.2

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =150 o C

44.2

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

212

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

15.6

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

R CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.35

mΩ

R thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.126

0.211

Კვ/ვ

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.032

0.053

0.010

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

300

g