GD200HFX120C2SA_B36, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Მე C

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C

@ ტ C=100o C

340

200

A

Მე Სმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

400

A

PD

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

1190

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

Მე F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

200

A

Მე FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

400

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

Მე C=200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.70

2.15

V

Მე C=200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

1.95

Მე C=200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.00

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Მე C=8.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Მე CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი —Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25o C

1.0

mA

Მე Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

3.75

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V Გენერალური საწარმოები =0V

20.7

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

0.58

nF

Კ Გ

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =- 15…+15V

1.55

μC

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=200A, Რ Გ =1. 1Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

150

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

32

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

330

n

t f

Შემოდგომის დრო

93

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

9.7

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

11.3

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=200A, Რ Გ =1. 1Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125o C

161

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

37

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

412

n

t f

Შემოდგომის დრო

165

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

20.2

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

17.0

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=200A, Რ Გ =1. 1Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =150o C

161

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

43

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

433

n

t f

Შემოდგომის დრო

185

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

22.4

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

19.1

mJ

Მე SC

Ს.კ. მონაცემები

t P≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

800

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

Მე F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

2.40

2.90

V

Მე F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125o C

1.95

Მე F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =150o C

1.80

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =25o C

20.3

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

160

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

8.0

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =125o C

38.4

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

201

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

14.2

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =150o C

44.2

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

212

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

15.6

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.35

mΩ

Რ thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.126

0.211

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.032

0.053

0.010

Კვ/ვ

Წთ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

Გ

Წონა შემდეგი Მოდული

300

გ