GD50PIX170C6SA,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Მე C

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C @ T C=100o C

100

50

A

Მე Სმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

100

A

PD

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

384

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

Მე F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

50

A

Მე FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

100

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1600

V

Მე O

Საშუალო გამოსავალი ტითრი 5 0Hz/60Hz, სინუსოიდური 파동ი

50

A

Მე FSM

Გამოსწორების დახვეწის მიმართვა V Რ =0V,T p =10ms,T ჯ =45o C

850

A

Მე 2t

Მე 2t-მნიშვნელობა,V Რ =0V,T p =10m s,T ჯ =45o C

3610

A2წმ

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Მე C

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C @ T C=100o C

100

50

A

Მე Სმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

100

A

PD

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

384

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

Მე F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

50

A

Მე FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

100

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური კავშირის ტემპერატურა (ინვერტერი, ბრეკი) Მაქსიმალური კავშირის ტემპერატურა (რექტიფიკატორი)

175

150

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Მე C=50A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.85

2.20

V

Მე C=50A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

2.25

Მე C=50A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.35

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Მე C=2.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Მე CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი —Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25o C

5.0

mA

Მე Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის რეზისი ტანსი

9.5

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

6.02

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.15

nF

Კ Გ

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

0.47

μC

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=50A, Რ Გ =9.6Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

163

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

44

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

290

n

t f

Შემოდგომის დრო

347

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

12.7

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

7.28

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=50A, Რ Გ =9.6Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125o C

186

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

51

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

361

n

t f

Შემოდგომის დრო

535

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

17.9

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

11.1

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=50A, Რ Გ =9.6Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =150o C

192

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

52

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

374

n

t f

Შემოდგომის დრო

566

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

20.0

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

12.0

mJ

Მე SC

Ს.კ. მონაცემები

t P≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =1000 ვოლტი, V CEM ≤1700V

200

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Მე F =50A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

1.80

2.25

V

Მე F =50A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125o C

1.95

Მე F =50A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =150o C

1.90

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =25o C

11.8

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

48

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

6.08

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =125o C

20.7

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

52

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

11.4

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =150o C

23.7

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

54

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

13.1

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Მე F =50A, V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =150o C

1.14

V

Მე Რ

Უკუქცევითი დენი

T ჯ =150o C,V Რ =1600V

3.0

mA

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Მე C=50A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.85

2.20

V

Მე C=50A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

2.25

Მე C=50A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.35

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Მე C=2.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Მე CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი —Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25o C

5.0

mA

Მე Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

9.5

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

6.02

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.15

nF

Კ Გ

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

0.47

μC

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=50A, Რ Გ =9.6Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

163

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

44

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

290

n

t f

Შემოდგომის დრო

347

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

12.7

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

7.28

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=50A, Რ Გ =9.6Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125o C

186

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

51

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

361

n

t f

Შემოდგომის დრო

535

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

17.9

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

11.1

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=50A, Რ Გ =9.6Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =150o C

192

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

52

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

374

n

t f

Შემოდგომის დრო

566

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

20.0

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

12.0

mJ

Მე SC

Ს.კ. მონაცემები

t P≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =1000 ვოლტი, V CEM ≤1700V

200

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Მე F =50A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

1.80

2.25

V

Მე F =50A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125o C

1.95

Მე F =50A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =150o C

1.90

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =25o C

11.8

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

48

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

6.08

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =125o C

20.7

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

52

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

11.4

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =150o C

23.7

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

54

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

13.1

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C=100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2— 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2— 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2— 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

60

nH

Რ CC+EE Რ AA ’+CC ’

Მოდული Lead Resista nce, ტერმინალი ჩიპს

4.00 2.00

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი —– —Შემთხვევა (perIGBT —ინვერტორი ) Კავშირი-კერძო (DIODE-ინვერტერის თვის ter) Კავშირი კერძოდ (თითოეულ დიოდის მითითებით) იერი) Გადასასვლელი —– —Შემთხვევა (perIGBT —მუხრუჭი )

Კავშირი კერძოდ (თითოეულ დიოდის მითითებით) წანაცვლებით)

0.390 0.554 0.565 0.390 0.554

Კვ/ვ

Რ thCH

Შემთხვევა —– —Თბილსასუფთავე (perIGBT —ინვერტორი )Კერძოდ-გამყოფის კავშირი (თითოეულ დიოდის მითითებით) nverter) Ქეის-გარმოსვლა (თითო დიოდი- რეკტიფიკატორი) Შემთხვევა —– —Თბილსასუფთავე (perIGBT —მუხრუჭი )

Ქეის-გარმოსვლა (თითო დიოდი- ბრეიკი) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009

Კვ/ვ

Წთ

Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Ბურღი:M5

3.0

6.0

N.m

Გ

Წონა შემდეგი Მოდული

300

გ