GD50PIX170C6SA,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C @ T C=100o C

100

50

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

100

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

384

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

50

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

100

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1600

V

IO

Საშუალო გამოსავალი ტითრი 5 0Hz/60Hz, სინუსოიდური 파동ი

50

A

IFSM

Გამოსწორების დახვეწის მიმართვა V Რ =0V,T პ =10ms,T ჯ =45o C

850

A

I2t

I2t-მნიშვნელობა,V Რ =0V,T პ =10m s,T ჯ =45o C

3610

A2ს

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C @ T C=100o C

100

50

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

100

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

384

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

50

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

100

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური კავშირის ტემპერატურა (ინვერტერი, ბრეკი) Მაქსიმალური კავშირის ტემპერატურა (რექტიფიკატორი)

175

150

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=50A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.85

2.20

V

IC=50A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

2.25

IC=50A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.35

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=2.0mA ,V CE =V GE , T ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V, T ჯ =25o C

5.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის რეზისი ტანსი

9.5

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

6.02

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.15

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =-15 ...+15V

0.47

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=50A, Რ G=9.6Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

163

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

44

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

290

n

t f

Შემოდგომის დრო

347

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

12.7

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

7.28

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=50A, Რ G=9.6Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =125o C

186

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

51

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

361

n

t f

Შემოდგომის დრო

535

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

17.9

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

11.1

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=50A, Რ G=9.6Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =150o C

192

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

52

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

374

n

t f

Შემოდგომის დრო

566

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

20.0

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

12.0

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V GE =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =1000 ვოლტი, V CEM ≤1700V

200

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

IF =50A,V GE =0V,T ჯ =25o C

1.80

2.25

V

IF =50A,V GE =0V,T ჯ =125o C

1.95

IF =50A,V GE =0V,T ჯ =150o C

1.90

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15 ვოლტი T ჯ =25o C

11.8

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

48

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

6.08

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15 ვოლტი T ჯ =125o C

20.7

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

52

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

11.4

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15 ვოლტი T ჯ =150o C

23.7

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

54

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

13.1

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

IF =50A, V GE =0V, T ჯ =150o C

1.14

V

IᲠ

Უკუქცევითი დენი

T ჯ =150o C,V Რ =1600V

3.0

mA

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=50A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.85

2.20

V

IC=50A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

2.25

IC=50A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.35

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=2.0mA ,V CE =V GE , T ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V, T ჯ =25o C

5.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

9.5

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

6.02

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.15

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =-15 ...+15V

0.47

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=50A, Რ G=9.6Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

163

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

44

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

290

n

t f

Შემოდგომის დრო

347

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

12.7

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

7.28

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=50A, Რ G=9.6Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =125o C

186

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

51

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

361

n

t f

Შემოდგომის დრო

535

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

17.9

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

11.1

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=50A, Რ G=9.6Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =150o C

192

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

52

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

374

n

t f

Შემოდგომის დრო

566

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

20.0

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

12.0

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V GE =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =1000 ვოლტი, V CEM ≤1700V

200

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

IF =50A,V GE =0V,T ჯ =25o C

1.80

2.25

V

IF =50A,V GE =0V,T ჯ =125o C

1.95

IF =50A,V GE =0V,T ჯ =150o C

1.90

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15 ვოლტი T ჯ =25o C

11.8

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

48

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

6.08

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15 ვოლტი T ჯ =125o C

20.7

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

52

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

11.4

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15 ვოლტი T ჯ =150o C

23.7

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

54

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

13.1

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C=100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

60

nH

Რ CC+EE Რ AA ’+CC ’

Მოდული Lead Resista nce, ტერმინალი ჩიპს

4.00 2.00

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი --დან -Შემთხვევა (perIGBT -ინვერტორი ) Კავშირი-კერძო (DIODE-ინვერტერის თვის ter) Კავშირი კერძოდ (თითოეულ დიოდის მითითებით) იერი) Გადასასვლელი --დან -Შემთხვევა (perIGBT -მუხრუჭი )

Კავშირი კერძოდ (თითოეულ დიოდის მითითებით) წანაცვლებით)

0.390 0.554 0.565 0.390 0.554

Კვ/ვ

Რ thCH

Შემთხვევა --დან -Თბილსასუფთავე (perIGBT -ინვერტორი )Კერძოდ-გამყოფის კავშირი (თითოეულ დიოდის მითითებით) nverter) Ქეის-გარმოსვლა (თითო დიოდი- რეკტიფიკატორი) Შემთხვევა --დან -Თბილსასუფთავე (perIGBT -მუხრუჭი )

Ქეის-გარმოსვლა (თითო დიოდი- ბრეიკი) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009

Კვ/ვ

Მ

Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Ბურღი:M5

3.0

6.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

300

g