GD50PIX170C6SA,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C @ T C =100 o C

100

50

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

100

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 o C

384

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

50

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

100

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1600

V

I O

Საშუალო გამოსავალი ტითრი 5 0Hz/60Hz, სინუსოიდური 파동ი

50

Ა

I FSM

Გამოსწორების დახვეწის მიმართვა V R =0V,T პ =10ms,T ჯ =45 o C

850

Ა

I 2t

I 2t-მნიშვნელობა,V R =0V,T პ =10m s,T ჯ =45 o C

3610

Ა 2s

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C @ T C =100 o C

100

50

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

100

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 o C

384

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

50

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

100

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური კავშირის ტემპერატურა (ინვერტერი, ბრეკი) Მაქსიმალური კავშირის ტემპერატურა (რექტიფიკატორი)

175

150

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =50A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

1.85

2.20

V

I C =50A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 o C

2.25

I C =50A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 o C

2.35

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =2.0 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 o C

5.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის რეზისი ტანსი

9.5

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

6.02

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.15

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

0.47

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =50A, R G =9.6Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

163

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

44

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

290

n

t f

Შემოდგომის დრო

347

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

12.7

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

7.28

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =50A, R G =9.6Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125 o C

186

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

51

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

361

n

t f

Შემოდგომის დრო

535

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

17.9

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

11.1

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =50A, R G =9.6Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =150 o C

192

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

52

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

374

n

t f

Შემოდგომის დრო

566

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

20.0

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

12.0

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 o C,V CC =1000 ვოლტი, V CEM ≤1700V

200

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

I F =50A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 o C

1.80

2.25

V

I F =50A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125 o C

1.95

I F =50A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =150 o C

1.90

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =25 o C

11.8

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

48

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

6.08

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =125 o C

20.7

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

52

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

11.4

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =150 o C

23.7

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

54

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

13.1

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

I F =50A, V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =150 o C

1.14

V

I R

Უკუქცევითი დენი

T ჯ =150 o C,V R =1600V

3.0

mA

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =50A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

1.85

2.20

V

I C =50A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 o C

2.25

I C =50A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 o C

2.35

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =2.0 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 o C

5.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

9.5

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

6.02

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.15

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

0.47

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =50A, R G =9.6Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

163

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

44

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

290

n

t f

Შემოდგომის დრო

347

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

12.7

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

7.28

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =50A, R G =9.6Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125 o C

186

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

51

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

361

n

t f

Შემოდგომის დრო

535

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

17.9

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

11.1

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =50A, R G =9.6Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =150 o C

192

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

52

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

374

n

t f

Შემოდგომის დრო

566

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

20.0

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

12.0

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 o C,V CC =1000 ვოლტი, V CEM ≤1700V

200

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

I F =50A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 o C

1.80

2.25

V

I F =50A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125 o C

1.95

I F =50A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =150 o C

1.90

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =25 o C

11.8

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

48

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

6.08

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =125 o C

20.7

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

52

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

11.4

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =150 o C

23.7

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

54

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

13.1

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

R 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

Გადახრა of R 100

T C =100 o C ,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ენერგია

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

60

nH

R CC+EE R AA + CC ’

Მოდული Lead Resista nce, ტერმინალი ჩიპს

4.00 2.00

mΩ

R thJC

Გადასასვლელი -რომ -Შემთხვევა (perIGBT -ინვერტორი ) Კავშირი-კერძო (DIODE-ინვერტერის თვის ter) Კავშირი კერძოდ (თითოეულ დიოდის მითითებით) იერი) Გადასასვლელი -რომ -Შემთხვევა (perIGBT -მუხრუჭი )

Კავშირი კერძოდ (თითოეულ დიოდის მითითებით) წანაცვლებით)

0.390 0.554 0.565 0.390 0.554

Კვ/ვ

R thCH

Შემთხვევა -რომ -Თბილსასუფთავე (perIGBT -ინვერტორი )Კერძოდ-გამყოფის კავშირი (თითოეულ დიოდის მითითებით) nverter) Ქეის-გარმოსვლა (თითო დიოდი- რეკტიფიკატორი) Შემთხვევა -რომ -Თბილსასუფთავე (perIGBT -მუხრუჭი )

Ქეის-გარმოსვლა (თითო დიოდი- ბრეიკი) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009

Კვ/ვ

M

Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Ბურღი:M5

3.0

6.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

300

g