GD600HFX120C2S,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

Გადასასვლელი ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

±30

V

Ის C

Კოლექტორის დენი @ T C =25o C

@ ტ C =90o C

873

600

Ა

Ის CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

1200

Ა

P D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

2727

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

Ის F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

600

Ა

Ის FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

1200

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

Ის C =600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.75

2.20

V

Ის C =600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

2.00

Ის C =600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.05

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Ის C =24.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Ის CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25o C

1.0

mA

Ის Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0.7

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V Გენერალური საწარმოები =0V

55.9

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

1.57

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =- 15…+15V

4.20

μC

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A, Რ G =1.5Ω

,L Ს =34nH, V Გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =25o C

109

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

62

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

469

n

t f

Შემოდგომის დრო

68

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

42.5

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

46.0

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A, Რ G = 1,5Ω,

Ლ Ს =34nH ,

V Გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =125o C

143

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

62

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

597

n

t f

Შემოდგომის დრო

107

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

56.5

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

70.5

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A, Რ G = 1,5Ω,

Ლ Ს =34nH ,

V Გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =150o C

143

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

68

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

637

n

t f

Შემოდგომის დრო

118

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

61.2

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

77.8

mJ

Ის SC

Ს.კ. მონაცემები

t P ≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

Ის F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

1.95

2.40

V

Ის F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125o C

2.05

Ის F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =150o C

2.10

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V, Ლ Ს =34nH ,T ჯ =25o C

58.9

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

276

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

20.9

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V, Ლ Ს =34nH ,T ჯ =125o C

109

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

399

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

41.8

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V, Ლ Ს =34nH ,T ჯ =150o C

124

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

428

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

48.5

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Ლ CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.35

mΩ

Რ thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.055

0.089

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.032

0.052

0.010

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

300

g