GD600HFX120C2S,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

Გადასასვლელი ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

±30

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C

@ ტ C =90 o C

873

600

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1200

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 o C

2727

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

600

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1200

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

1.75

2.20

V

I C =600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 o C

2.00

I C =600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 o C

2.05

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =24.0 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული

Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 o C

1.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0.7

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V Გენერალური საწარმოები =0V

55.9

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

1.57

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V

4.20

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A, R G =1.5Ω

,L S =34nH, V Გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =25 o C

109

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

62

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

469

n

t f

Შემოდგომის დრო

68

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

42.5

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

46.0

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A, R G = 1,5Ω,

L S =34 nH ,

V Გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =125 o C

143

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

62

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

597

n

t f

Შემოდგომის დრო

107

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

56.5

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

70.5

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A, R G = 1,5Ω,

L S =34 nH ,

V Გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =150 o C

143

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

68

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

637

n

t f

Შემოდგომის დრო

118

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

61.2

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

77.8

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

I F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 o C

1.95

2.40

V

I F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 25o C

2.05

I F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 50o C

2.10

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V, L S =34 nH ,T ჯ =25 o C

58.9

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

276

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

20.9

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V, L S =34 nH ,T ჯ =125 o C

109

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

399

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

41.8

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V, L S =34 nH ,T ჯ =150 o C

124

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

428

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

48.5

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

R CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.35

mΩ

R thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.055

0.089

Კვ/ვ

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.032

0.052

0.010

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

300

g