YMIBD800-17,IGBT მოდული,დუალ სვიჩი IGBT,CRRC

(სიმბოლო)

(პარამეტრი)

(ტესტირების პირობები)

(მნიშვნელობა)

(ერთეული)

VCES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

V GE = 0V, TC= 25 。C

1700

V

V GES

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

TC= 25 。C

± 20

V

I C

Კოლექტორ-გამომცემის დენი

TC = 80 。C

800

Ა

I C(PK)

Პიკის კოლექტორის მიმდინარე

t P=1ms

1600

Ა

P მაქს

Მაქსიმალური ტრანზიტორის ენერგიის გაფანტვა

Tvj = 150 。C, TC = 25 。C

6.94

კვ

I 2t

Დიოდ I 2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125 。C

120

kA2s

Visol

Იზოლაციის ძაბვა – თითო მოდულზე

( საერთო ტერმინალები ბაზის პლატისთვის),

AC RMS,1 წთ, 50Hz,TC= 25 。C

4000

V

Q PD

Პარტიული გაწვდვა – თითო მოდულზე

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25 。C

10

pC

(Სიმბოლო )

(Პარამეტრი )

(ტესტირების პირობები)

(Მნ )

(Ტიპი )

(Მაქს )

(Ერთეული )

I CES

Კოლექტორის გამორთული დენი

V GE = 0V,VCE = VCES

1

mA

V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C

25

mA

I GES

Ღობეების გაჟონვის დენი

V GE = ±20V, VCE = 0V

4

μA

V GE (TH)

Ღობეების ზღვრული ძაბვა

I C = 40mA, V GE = VCE

5.00

5.70

6.50

V

VCE (sat) ((*1)

Კოლექტორ-გამომცემის გაჯერების ძაბვა

V GE =15V, I C = 800A

2.30

2.60

V

V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C

2.80

3.10

V

I F

Დიოდური წინასწარი დენი

dC DC

800

Ა

I FRM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი

t P = 1მს

1600

Ა

VF(*1)

Დიოდის წინამავალი ძაბვა

I F = 800A

1.70

2.00

V

I F = 800A, Tvj = 125 ° C

1.80

2.10

V

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

60

nF

Q g

Კარიბჭის გადასახადი

±15V

9

μC

C res

Საპირისპირო გადაცემის სიმძლავრე

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

-

nF

L M

Მოდულის ინდუქტენტობა

20

nH

R INT

Ტრანზიისტორის შიდა წინააღმდეგობა

270

μΩ

I SC

Კороткое ჩართვის მიმდინარე, ISC

Tvj = 125° C, VCC = 1000V,

V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt,

IEC 6074-9

3700

Ა

ტდ (((გამოხურული)

Გამორთვის დაგვიანების დრო

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

890

n

t f

Შემოდგომის დრო

220

n

E OFF

Გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

220

mJ

თსს

Ჩართვის შეფერხების დრო

320

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

190

n

Ეონ

Ჩართვის ენერგიის დაკარგვა

160

mJ

Q rr

Დიოდის უკუქცევითი აღდგენის დატვირთვა

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

260

μC

I rr

Დიოდის უკუქცევითი აღდგენის მიმდინარე

510

Ა

E rec

Დიოდის უკუქცევითი აღდგენის ენერგია

180

mJ

ტდ (((გამოხურული)

Გამორთვის დაგვიანების დრო

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

980

n

t f

Შემოდგომის დრო

280

n

E OFF

Გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

290

mJ

თსს

Ჩართვის შეფერხების დრო

400

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

250

n

Ეონ

Ჩართვის ენერგიის დაკარგვა

230

mJ

Q rr

Დიოდის უკუქცევითი აღდგენის დატვირთვა

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

420

μC

I rr

Დიოდის უკუქცევითი აღდგენის მიმდინარე

580

Ა

E rec

Დიოდის უკუქცევითი აღდგენის ენერგია

280

mJ