GD100HFX170C1S, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Მე C

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C @ T C=100o C

173

112

A

Მე Სმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

200

A

PD

Მაქსიმალური Ძალა Გამოტაცია @ T vj =175o C

666

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

Მე F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

100

A

Მე FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

200

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Მე C=100A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25o C

1.85

2.20

V

Მე C=100A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125o C

2.25

Მე C=100A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150o C

2.35

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Მე C=4.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Მე CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი —Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25o C

5.0

mA

Მე Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

7.5

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

12.0

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.29

nF

Კ Გ

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

0.94

μC

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=100A, Რ Გ =4.7Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, Ls=60nH,

T vj =25o C

272

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

55

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

369

n

t f

Შემოდგომის დრო

389

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

28.2

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

16.4

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=100A, Რ Გ =4.7Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, Ls=60nH,

T vj =125o C

296

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

66

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

448

n

t f

Შემოდგომის დრო

576

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

40.1

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

24.1

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=100A, Რ Გ =4.7Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, Ls=60nH,

T vj =150o C

302

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

69

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

463

n

t f

Შემოდგომის დრო

607

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

43.9

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

25.7

mJ

Მე SC

Ს.კ. მონაცემები

t P≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150o C,V CC =1000V

V CEM ≤1700V

400

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Მე F =100A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

Მე F =100A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125o C

1.90

Მე F =100A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150o C

1.95

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =100A,

-di/dt=1290A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი Ls=60nH,

T vj =25o C

23.5

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

85

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

11.5

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =100A,

-di/dt=1020A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი Ls=60nH,

T vj =125o C

36.6

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

88

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

18.1

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =100A,

-di/dt=960A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი Ls=60nH,

T vj =150o C

46.2

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

91

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

24.6

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

30

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

0.65

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი —– —Შემთხვევა (perIGBT ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.225 0.391

Კვ/ვ

Რ thCH

Შემთხვევა —– —Თბილსასუფთავე (perIGBT )Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.158 0.274 0.050

Კვ/ვ

Წთ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M5 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

Გ

Წონა შემდეგი Მოდული

150

გ