GD100HFX170C1S, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C @ T C =100 o C

173

112

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

200

Ა

Პ D

Მაქსიმალური Ენერგია Გამოტაცია @ T vj =175 o C

666

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

100

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

200

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =100A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 o C

1.85

2.20

V

I C =100A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 o C

2.25

I C =100A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 o C

2.35

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =4.0 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

7.5

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

12.0

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.29

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

0.94

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, Ls=60nH,

T vj =25 o C

272

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

55

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

369

n

t f

Შემოდგომის დრო

389

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

28.2

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

16.4

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, Ls=60nH,

T vj =125 o C

296

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

66

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

448

n

t f

Შემოდგომის დრო

576

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

40.1

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

24.1

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, Ls=60nH,

T vj =150 o C

302

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

69

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

463

n

t f

Შემოდგომის დრო

607

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

43.9

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

25.7

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150 o C ,V CC =1000V

V CEM ≤1700V

400

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

I F =100A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5o C

1.80

2.25

V

I F =100A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125 o C

1.90

I F =100A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150 o C

1.95

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =900V,I F =100A,

-di/dt=1290A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი Ls=60nH,

T vj =25 o C

23.5

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

85

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

11.5

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =900V,I F =100A,

-di/dt=1020A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი Ls=60nH,

T vj =125 o C

36.6

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

88

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

18.1

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =900V,I F =100A,

-di/dt=960A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი Ls=60nH,

T vj =150 o C

46.2

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

91

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

24.6

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

30

nH

R CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

0.65

mΩ

R thJC

Გადასასვლელი -რომ -Შემთხვევა (perIGBT ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.225 0.391

Კვ/ვ

R thCH

Შემთხვევა -რომ -Თბილსასუფთავე (perIGBT )Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.158 0.274 0.050

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M5 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

150

g