H50KPU, ფაზის კონტროლის თირისტორი

Სიმბოლო

Მახასიათებელი

Გამოცდის პირობები

Tj(°C )

Ღირებულება

Ერთეული

Წუთი

Ტიპი

Მაქს.

IT(AV)

Საშუალო ჩართული მიმდინარე

180°ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz

Ორმხრივი გაგრილება, TC=70 。C

125

600

Ა

VDRM VRRM

Განმეორებითი პიკი გამორთული ძაბვა განმეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა

tp=10ms

125

7300

8500

V

Ირმ ირმ

Განმეორებითი პიკური დენი

@ VDRM @ VRRM

125

200

mA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

125

9.8

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

480

A2s*103

VTO

Საფეხური ძაბვა

125

1.04

V

რტ

Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

2.33

mΩ

VTM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=1000A, F=24kN

25

2.95

V

dv/dt

Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=0.67VDRM

125

2000

V/μS

di/dt

Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM= 67%VDRM 2000A-მდე,

Ღობეების იმპულსები tr ≤0.5μs IGM ＝2.0A

125

100

A/μS

Კრრ

Აღდგენის გადასახადი

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

2500

µC

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA=12V, IA=1A

25

40

300

mA

Vgt

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.8

3.0

V

IH

Შენარჩუნების მიმდინარე

25

200

mA

IL

Ჩაკეტვის მიმდინარე

500

mA

VGD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=0.67VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

1800 სინუსზე, ორმხრივი გაგრილება, კლამპირების ძალა 24.0kN

0.022

。C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

0.005

。C /W

FM

Მონტაჟის ძალა

19

24

26

kN

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

℃

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

140

℃

Wt

Წონა

560

გ

Კონტური

KT50dT