GD450HFX120C6SA,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C

@ ტ C = 100o C

680

450

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

900

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 o C

2173

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

450

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

900

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =450A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

1.70

2.15

V

I C =450A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 o C

1.95

I C =450A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 o C

2.00

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C = 11.3mA,V CE =V Გენერალური საწარმოები ,T ჯ =25 o C

5.2

5.8

6.4

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული

Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 o C

1.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.7

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V Გენერალური საწარმოები =0V

46.6

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

1.31

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V

3.50

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =450A, R G = 1.3Ω,

V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

203

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

64

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

491

n

t f

Შემოდგომის დრო

79

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

16.1

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

38.0

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =450A, R G = 1.3Ω,

V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

235

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

75

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

581

n

t f

Შემოდგომის დრო

109

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

27.8

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

55.5

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =450A, R G = 1.3Ω,

V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 150o C

235

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

75

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

621

n

t f

Შემოდგომის დრო

119

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

30.5

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

61.5

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1800

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

I F =450A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 o C

1.85

2.30

V

I F =450A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125o C

1.90

I F =450A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150o C

1.95

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V, T ჯ =25 o C

55.2

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

518

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

26.0

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V, T ჯ = 125o C

106

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

633

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

47.5

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V, T ჯ = 150o C

121

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

661

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

53.9

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

R 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

δR/R

Გადახრა of R 100

T C = 100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ენერგია

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

R CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

1.10

mΩ

R thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.069

0.108

Კვ/ვ

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.030

0.046

0.009

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

350

g