MTC70, შედუღების თირისტორის მართვის მოდული, ჰაერის გაგრილება

VDRM, VRRM

Ტიპი და კონტური

600V

800V

1000 ვოლტი

1200 ვოლტი

1400V

1600V

1800V

MTC70-06-224H3/224H3B

MTC70-08-224H3/224H3B

MTC70-10-224H3/224H3B

MTC70-12-224H3/224H3B

MTC70-14-224H3/224H3B

MTC70-16-224H3/224H3B

MTC70-18-224H3/224H3B

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj( °C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IT(AV)

Საშუალო ჩართული მიმდინარე

180° ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz

Ერთმხრივი გაგრილება, Tc =85 °C

125

70

Ა

IT(RMS)

RMS აქტიური მიმდინარე

125

110

Ა

Ირმ ირმ

Განმეორებითი პიკური დენი

vDRM-ზე VRRM-ზე

125

15

mA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=60%VRRM

125

1.8

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

16.2

Ა ²s* 10 ³

VTO

Საფეხური ძაბვა

125

0.75

V

რტ

Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

3.64

mΩ

VTM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=210A

25

1.80

V

dv/dt

Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μS

di/dt

Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

Გეითის წყარო 1.5A

tr ≤0.5μs განმეორებითი

125

200

A/μS

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.6

2.5

V

IH

Შენარჩუნების მიმდინარე

10

250

mA

IL

Ჩაკეტვის მიმდინარე

1000

mA

VGD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

Ერთმხრივი გაგრილება, თითო ჩიპზე

0.35

°C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

Ერთმხრივი გაგრილება, თითო ჩიპზე

0.15

°C /W

VISO

Იზოლაციის ძაბვა

50Hz,R.M.S,t= 1წუთი,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Თერმული კავშირი ტორქი (M5)

2.5

4.0

N·მ

Მონტაჟის ტორქე(M6)

4.0

6.0

N·მ

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

125

°C

Wt

Წონა

100

g

Კონტური

224H3 、224H3B