MT200,თირისტორის მოდულები ((არაიზოლირებული ტიპი),TECHSEM

VDRM, VRRM

Ტიპი და კონტური

800V

MT200-08-210F2NA

MT200-08-210F2NK

1000 ვოლტი

MT200-10-210F2NA

MT200-10-210F2NK

1200 ვოლტი

MT200-12-210F2NA

MT200-12-210F2NK

1400V

MT200-14-210F2NA

MT200-14-210F2NK

1600V

MT200-16-210F2NA

MT200-16-210F2NK

1800V

MT200-18-210F2NA

MT200-18-210F2NK

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj( °C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IT(AV)

Საშუალო ჩართული მიმდინარე

18° ნახევარი სინუსოიდური ტალღა 50Hz ერთმხრივი გაგრილება, Tc=90 °C

125

200

Ა

IT(RMS)

RMS აქტიური მიმდინარე

125

314

Ა

Ირმ ირმ

Განმეორებითი პიკური დენი

vDRM-ზე VRRM-ზე

125

12

mA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=60%VRRM

125

5.2

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

135

10³A2s

VTO

Საფეხური ძაბვა

125

0.80

V

რტ

Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

1.15

mΩ

VTM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=600A

25

1.62

V

dv/dt

Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=67%VDRM

125

800

V/μS

di/dt

Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

Გეითის წყარო 1.5A

tr ≤0.5μs განმეორებითი

125

100

A/μS

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA=12V, IA=1A

25

30

150

mA

Vgt

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.8

2.5

V

IH

Შენარჩუნების მიმდინარე

20

120

mA

IL

Ჩაკეტვის მიმდინარე

1000

mA

VGD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

Ერთპიროვნულად გაგრილებული

0.13

°C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

Ერთპიროვნულად გაგრილებული

0.10

°C /W

FM

Ტერმინალის შეერთების ტორქე(M6)

4.5

6.0

N·მ

Მონტაჟის ტორქე(M6)

4.5

6.0

N·მ

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

125

°C

Wt

Წონა

185

g

Კონტური

210F2NA, 210F2NK