MTx800 MFx800 MT800,თირისტორი/დიოდის მოდულები,ჰაერის გაგრილება

VRRM,VDRM

Ტიპი და კონტური

2000 ვოლტი

MTx800-20-410F3

MFx800-20-410F3

2200 ვოლტი

MTx800-22-410F3

MFx800-22-410F3

2500 ვოლტი

MTx800-25-410F3

MFx800-25-410F3

2500 ვოლტი

MT800-25-410F3G

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj( °C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IT(AV)

Საშუალო ჩართული მიმდინარე

180。ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz

Ერთპიროვნული გაგრილებული, TC=70 °C

125

800

Ა

IT(RMS)

RMS აქტიური მიმდინარე

1256

Ა

Ირმ ირმ

Განმეორებითი პიკური დენი

vDRM-ზე VRRM-ზე

125

50

mA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

VR=60%VRRM,t=10ms ნახევარი სინოსი,

125

16

kA

I ²t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

125

1280

10³Ა ²s

VTO

Საფეხური ძაბვა

125

0.85

V

რტ

Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

0.30

mΩ

VTM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=2400A

25

2.30

V

dv/dt

Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μS

di/dt

Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

Გეითის წყარო 1.5A

tr ≤0.5μs განმეორებითი

125

200

A/μS

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

Vgt

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.8

3.0

V

IH

Შენარჩუნების მიმდინარე

10

200

mA

IL

Ჩაკეტვის მიმდინარე

1000

mA

VGD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.048

°C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.030

°C /W

VISO

Იზოლაციის ძაბვა

50Hz,R.M.S,t=1წთ,Iiso:1mA(მაქსიმუმ)

3000

V

FM

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი ((M12)

12

16

N·მ

Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა ((M8)

10

12

N·მ

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

125

°C

Wt

Წონა

3310

g

Კონტური

410F3