GD400HFU120C2S, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

GD400HFU120C2S

Ერთეულები

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

± 20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C = 25°C

@ ტ C =80 °C

660

400

Ა

I CM (1)

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

800

Ა

I F

Დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი

400

Ა

I FM (1)

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი მიმდინარე ქირაობა

800

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ = 150°C

2660

W

T SC

Მოკლე ჩართვის გამძლეობის დრო @ T ჯ =125 °C

10

μs

T ჯ

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

°C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Მონტაჟის მომენტი

Გამართვის ტერმინალის შრიალი:M6

2.5 დან 5.0

N.m

Დაყენება Შრიფტი:M6

3.0-დან 6.0

N.m

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V (BR )CES

Კოლექტორი-გამომავალი

Გამორთვის ძაბვა

T ჯ =25 °C

1200

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 °C

5.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი

Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 °C

400

nA

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი

Ვოლტი

I C =4.0 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 °C

4.4

4.9

6.0

V

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 °C

3.10

3.60

V

I C =400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ = 125°C

3.45

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, R G =2.2Ω,V Გენერალური საწარმოები = ± 15 V, T ჯ =25 °C

680

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

142

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

638

n

t f

Შემოდგომის დრო

99

n

E ჩართული

Ჩართვის გადართვა

Დანარჩენი

19.0

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

32.5

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, R G =2.2Ω,V Გენერალური საწარმოები = ± 15 V, T ჯ = 125°C

690

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

146

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

669

n

t f

Შემოდგომის დრო

108

n

E ჩართული

Ჩართვის გადართვა

Დანარჩენი

26.1

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

36.7

mJ

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =30V,f=1MHz,

V Გენერალური საწარმოები =0V

33.7

nF

C oes

Გამოსავალი გამტარუნარიანობა

2.99

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

1.21

nF

I SC

Ს.კ. მონაცემები

T Პ ≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები =15 V, T ჯ =25 °C ,

V CC =600V, V CEM ≤ 1200 ვოლტი

2600

Ა

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის რეზისი ტანსი

0.5

ω

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

18

nH

R CC + EE ’

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა ce, Ტერმინალი ჩიპზე

T C =25 °C

0.32

m ω

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

I F =400A

T ჯ =25 °C

1.95

2.35

V

T ჯ = 125°C

1.85

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

I F =400A,

V R =600 V,

di/dt=-2850A/μs, V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V

T ჯ =25 °C

24.1

μC

T ჯ = 125°C

44.3

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

T ჯ =25 °C

220

Ა

T ჯ = 125°C

295

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

T ჯ =25 °C

13.9

mJ

T ჯ = 125°C

24.8

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

R θ Ჟ.კ.

Კვანძები (IG-ის მიხედვით) BT)

0.047

Კვ/ვ

R θ Ჟ.კ.

Კვანძები (D-ზე) Იოდი)

0.096

Კვ/ვ

R θ CS

Კასის-სანკში (საკონდუქციო ცხიმი a პლიდი)

0.035

Კვ/ვ

G

Წონა Მოდული

350

g