GD200HFX120C2S, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Ის C

Კოლექტორის დენი @ T C =25o C

@ ტ C =90o C

297

200

Ა

Ის CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

400

Ა

P D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

937

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

Ის F

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

200

Ა

Ის FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

400

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Სიჩარე

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

Ის C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.75

2.20

V

Ის C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

2.00

Ის C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.05

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Ის C =5.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25o C

5.2

6.0

6.8

V

Ის CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25o C

5.0

mA

Ის Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.0

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V Გენერალური საწარმოები =0V

18.6

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

0.52

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =- 15…+15V

1.40

μC

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, Რ G = 1. 1Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

120

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

26

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

313

n

t f

Შემოდგომის დრო

88

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

8.96

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

10.7

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, Რ G = 1. 1Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

129

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

30

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

391

n

t f

Შემოდგომის დრო

157

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

15.8

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

16.1

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, Რ G = 1. 1Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 150o C

129

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

34

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

411

n

t f

Შემოდგომის დრო

175

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

17.5

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

18.1

mJ

Ის SC

Ს.კ. მონაცემები

t P ≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

720

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

Ის F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

1.75

2.15

V

Ის F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125o C

1.65

Ის F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150o C

1.65

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =25o C

18.5

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

239

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

8.08

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =125o C

33.1

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

250

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

14.5

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =150o C

38.4

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

259

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

15.9

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Ლ CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

15

nH

Რ CC+EE

Მოდული Lead Resista თმალალთ ნა ქპს

0.25

mΩ

Რ thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.160

0.206

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.036

0.046

0.010

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

300

g