H125ZPR,გამწესავი დიოდი

I _T(AV)

5250Ა

V _RRM

5200V 5600V

6000V 6500V

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj( °C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IF(AV)

Საშუალო წინასწარი დენი

180° ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება,

TC=100 °C

150

5250

Ა

VRRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

tp=10ms

150

5100

6500

V

IRRM

Განმეორებითი პიკური დენი

vRRM-ზე

150

400

mA

IFSM

Სალტო წინასწარი დენი

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

150

84

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

35280

Ა ²s*10 ⁴

VFO

Საფეხური ძაბვა

150

0.81

V

rF

Წინასწარი დახრის წინააღმდეგობა

0.12

მΩ

VFM

Პიკური წინასწარი ძაბვა

IFM=5000A, F=140kN

25

1.65

V

Კრრ

Აღდგენის გადასახადი

IFM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

150

20000

µC

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

180-ზე ° სინი, ორმხრივი გაგრილება კლამპირების ძალა 140kN

0.004

°C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამათბობელზე

0.001

FM

Მონტაჟის ძალა

110

140

kN

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

150

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

160

°C

Wt

Წონა

3420

g

Კონტური

ZT110cT/ ZT110dT