H76ZYG, რბილი აღდგენის დიოდი

I _T(AV)

2200A

V _RRM

4000V 4200V

4500V

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj( °C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IF(AV)

Საშუალო წინასწარი დენი

180° ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება,

Tsink=55 °C

125

2200

Ა

IRRM

Განმეორებითი პიკური დენი

vRRM-ზე

125

240

mA

IFSM

Სალტო წინასწარი დენი

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

125

23

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

2645

A2s* 103

VFO

Საფეხური ძაბვა

125

1.65

V

rF

Წინასწარი დახრის წინააღმდეგობა

0.26

mΩ

VFM

Პიკური წინასწარი ძაბვა

@IFM=3000A,

F=40kN

25

2.80

V

@IFM=5000A

125

2.98

VFRM

Მაქსიმალური წინასწარი აღდგენის ძაბვა

di/dt= 1000A/μs

125

80

V

25

40

V

IRM

Უკუღმართი აღდგენის მიმდინარე

IFM=2000A,tp=4000μs, -di/dt=60A/μs, VR=50V

125

400

Ა

trr

Უკუღმართი აღდგენის დრო

8.0

μs

Კრრ

Აღდგენის გადასახადი

2000

μC

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

1800 sin, ორმაგი მხარე გაგრილებული Clamping ძალა40kN

0.010

° /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამათბობელზე

0.003

FM

Მონტაჟის ძალა

35

47

kN

Ტჟოპ

Მუშაობის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40

125

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

150

°C

Wt

Წონა

1460

g

Კონტური

ZT73dT