GD3600SGX170C4S,IGBT მოდული,High current igbt მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Ის C

Კოლექტორის დენი @ T C =100o C

3600

Ა

Ის CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

7200

Ა

P D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

21.4

კვ

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

Ის F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

3600

Ა

Ის FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

7200

Ა

Ის FSM

Გამოსწორების დახვეწის მიმართვა V Რ =0V,T p =10ms, @T ჯ =25o C @T ჯ =150o C

23.22 19.95

kA

Ის 2t

Ის 2t-მნიშვნელობა,V Რ =0V,T p =10m s,T ჯ =25o C Ის 2t-მნიშვნელობა,V Რ =0V,T p =10ms ,t ჯ =150o C

2695

1990

kA2ს

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Ის C =3600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.85

2.30

V

Ის C =3600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

2.25

Ის C =3600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.30

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Ის C =144.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Ის CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25o C

5.0

mA

Ის Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0.7

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

427

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

10.7

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

35.3

μC

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =3600A, Რ Გონ =1.2Ω, Რ Გოფ =0.9Ω, V Გენერალური საწარმოები =-9V/+15V,

Ლ Ს =65nH ,T ჯ =25o C

1161

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

413

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

4761

n

t f

Შემოდგომის დრო

430

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

1734

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

2580

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =3600A, Რ Გონ =1.2Ω, Რ Გოფ =0.9Ω, V Გენერალური საწარმოები =-9V/+15V,

Ლ Ს =65nH ,T ჯ =125o C

1370

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

547

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

5303

n

t f

Შემოდგომის დრო

457

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

2679

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

2881

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =3600A, Რ Გონ =1.2Ω, Რ Გოფ =0.9Ω, V Გენერალური საწარმოები =-9V/+15V,

Ლ Ს =65nH ,T ჯ =150o C

1413

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

585

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

5490

n

t f

Შემოდგომის დრო

473

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

2863

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

2960

mJ

Ის SC

Ს.კ. მონაცემები

t P ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =1000 ვოლტი, V CEM ≤1700V

14.0

kA

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Ის F =3600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

1.80

2.25

V

Ის F =3600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125o C

1.90

Ის F =3600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =150o C

1.95

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =3600A,

-დი/დტ=7000ა/μს,V Გენერალური საწარმოები =-9V, Ლ Ს =65nH ,T ჯ =25o C

207

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

1030

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

199

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =3600A,

-დი/დტ=5700/μს,V Გენერალური საწარმოები =-9V, Ლ Ს =65nH ,T ჯ =125o C

288

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

1020

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

339

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =3600A,

-di/dt=5200A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-9V, Ლ Ს =65nH ,T ჯ =150o C

391

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

996

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

341

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Ლ CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

6.0

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

0.085

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი -და -Შემთხვევა (perIGBT ) Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

7.0 12.8

K/kW

Რ thCH

Შემთხვევა -და -Თბილსასუფთავე (perIGBT )Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

6.2 11.3 4.0

K/kW

d Ჟრაპკა

Ტერმინალი-გამყოფის ჩახარჯის შორის Ტერმინალი-ტერმინალი

32.2 32.2

მმ

d Გასუფთავება

Ტერმინალი-გამყოფის ჩახარჯის შორის Ტერმინალი-ტერმინალი

19.1 19.1

მმ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მ4 Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M8 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

2060

g