H100ZPU, გამწესებელი დიოდი

I _T(AV)

3300Ა

V _RRM

8000V 8500V

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj( °C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IF(AV)

Საშუალო წინასწარი დენი

180° ნახევარი სინუსოიდური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება

TC= 100 °C

150

3300

Ა

VRRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

tp=10ms

150

8000

8500

V

IRRM

Განმეორებითი პიკური დენი

vRRM-ზე tp= 10ms

150

300

mA

IFSM

Სალტო წინასწარი დენი

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა. VR=0.6VRRM

150

50

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

12500

10³Ა ²s

VFO

Საფეხური ძაბვა

150

0.96

V

rF

Წინასწარი დახრის წინააღმდეგობა

0.24

mΩ

VFM

Პიკური წინასწარი ძაბვა

IFM=5000A, F= 100kN

25

2.10

V

Კრრ

Აღდგენის გადასახადი

IFM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR=100V

150

23500

μC

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

180-ზე ° სინუსური. ორმხრივი გაგრილება კლამპირების ძალა 100kN

0.005

°C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

0.0015

FM

Მონტაჟის ძალა

98

113

kN

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

150

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

160

°C

Wt

Წონა

2500

g

Კონტური

ZT100dT