TG1800HF17H1-S500,IGBT მოდული,Half Bridge IGBT,CRRC

სიმბოლო Სიმბოლო

参数名称 Პარამეტრი

ტესტ-თეორიები

Გამოცდის პირობები

რიცხვური მნიშვნელობა Ღირებულება

单位 Ერთეული

V CES

集电极 —გამტარი ძაბვა

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

V GE = 0V, T C= 25 °C

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

极 —გამტარი ძაბვა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

T C= 25 °C

± 20

V

Ი C

კოლექტორის დენი

Კოლექტორ-გამომცემის დენი

T C = 85 °C, T vj მაქს. = 175°C

1800

Ა

Ი C(PK)

集电极峰值电流

Პიკის კოლექტორის მიმდინარე

t P=1ms

3600

Ა

Pმაქს.

ტრანზისტორის ნაწილში მაქსიმალური დაკარგვა

Მაქსიმალური ტრანზიტორის ენერგიის გაფანტვა

T vj = 175°C, T C = 25 °C

9.38

კვ

Ი 2t

დიოდი Ი 2t 值 Დიოდი Ი 2t

V Რ =0V, t P = 10 მს T vj = 175 °C

551

kA2წამი

V isol

იზოლაციის ძაბვა (模块 )

Იზოლაცია ვოლტი —მდე მოდული

ოლქსჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკ ( დაკავშირებული ტერმინალი s-მდე ძირით დაყრდნობით), Აც RMS1 მინიმუმ 50 ჰერცტი, T C= 25 °C

4000

V

პარამეტრი Სიმბოლო

განმარტება

Განმარტება

值 Ღირებულება

单位 Ერთეული

ასვლის დისტანცია

Სრიალების მანძილი

ტერმინალი —გამხვირველი

Ტერმინალი კაცრის თბილსასუფთავე

36.0

მმ

ტერმინალი —ტერმინალი

Ტერმინალი ტერმინალამდე

28.0

მმ

იზოლაციის间隙 Სუფთა სივრცე

ტერმინალი —გამხვირველი

Ტერმინალი კაცრის თბილსასუფთავე

21.0

მმ

ტერმინალი —ტერმინალი

Ტერმინალი ტერმინალამდე

19.0

მმ

საპარასიტო წვდომის ინდექსი

CTI (Comparative Tracking Index)

400

სიმბოლო Სიმბოლო

参数名称 Პარამეტრი

ტესტ-თეორიები

Გამოცდის პირობები

მინიმალური მნიშვნელობა Მინ.

典型值 Თპ.

მაქსიმალური მნიშვნელობა Მაქსიმალური

单位 Ერთეული

Რ th(j-c) IGBT

IGBT 结壳热阻

Თერმული წინადადება – IGBT

16

K \/ კვ

Რ th(j-c) Დიოდი

დიოდის结壳热阻

Თერმული წინადადება – Დიოდი

33

K \/ კვ

Რ th ((c-h) IGBT

კონტაქტური თერმული წინააღმდეგობა (IGBT)

Თერმული წინადადება –

დაფიქსირება გამყოფზე (IGBT)

მონტაჟის მომენტი 5Nm, თერმული ზეთი 1W\/m·K Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა 5Nm,

თან მონტაჟი ცრემლი 1W\/m·K

14

K \/ კვ

Რ th ((c-h) Დიოდი

კონტაქტური თერმული წინააღმდეგობა (Diode)

Თერმული წინადადება –

დაფიქსირება გამყოფზე (Diode)

მონტაჟის მომენტი 5Nm, თერმული ზეთი 1W\/m·K Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა 5Nm,

თან მონტაჟი ცრემლი 1W\/m·K

17

K \/ კვ

T vjop

სამუშაო კავშირი

Მუშაობის კავშირი температура

IGBT ჩიპი ( IGBT )

-40

150

°C

დიოდის ჩიპი ( Diode )

-40

150

°C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

ოვაციური ტემპერატურა

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40

150

°C

Წუთი

მონტაჟის მომენტი

Შრიფტის ბრუნვის მომენტი

მონტაჟისთვის – M5 Მონტაჟი – M5

3

6

Nm

სქემური ურთიერთკავშირისთვის – M4

Ელექტრო კავშირები – M4

1.8

2.1

Nm

სქემური ურთიერთკავშირისთვის – M8

Ელექტრო კავშირები – M8

8

10

Nm

სიმბოლო Სიმბოლო

参数名称 Პარამეტრი

ტესტ-თეორიები

Გამოცდის პირობები

მინიმალური მნიშვნელობა Მინ.

典型值 Თპ.

მაქსიმალური მნიშვნელობა Მაქსიმალური

单位 Ერთეული

Რ th(j-c) IGBT

IGBT 结壳热阻

Თერმული წინადადება – IGBT

16

K \/ კვ

Რ th(j-c) Დიოდი

დიოდის结壳热阻

Თერმული წინადადება – Დიოდი

33

K \/ კვ

Რ th ((c-h) IGBT

კონტაქტური თერმული წინააღმდეგობა (IGBT)

Თერმული წინადადება –

დაფიქსირება გამყოფზე (IGBT)

მონტაჟის მომენტი 5Nm, თერმული ზეთი 1W\/m·K Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა 5Nm,

თან მონტაჟი ცრემლი 1W\/m·K

14

K \/ კვ

Რ th ((c-h) Დიოდი

კონტაქტური თერმული წინააღმდეგობა (Diode)

Თერმული წინადადება –

დაფიქსირება გამყოფზე (Diode)

მონტაჟის მომენტი 5Nm, თერმული ზეთი 1W\/m·K Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა 5Nm,

თან მონტაჟი ცრემლი 1W\/m·K

17

K \/ კვ

T vjop

სამუშაო კავშირი

Მუშაობის კავშირი температура

IGBT ჩიპი ( IGBT )

-40

150

°C

დიოდის ჩიპი ( Diode )

-40

150

°C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

ოვაციური ტემპერატურა

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40

150

°C

Წუთი

მონტაჟის მომენტი

Შრიფტის ბრუნვის მომენტი

მონტაჟისთვის – M5 Მონტაჟი – M5

3

6

Nm

სქემური ურთიერთკავშირისთვის – M4

Ელექტრო კავშირები – M4

1.8

2.1

Nm

სქემური ურთიერთკავშირისთვის – M8

Ელექტრო კავშირები – M8

8

10

Nm

სიმბოლო Სიმბოლო

参数名称 Პარამეტრი

ტესტ-თეორიები

Გამოცდის პირობები

მინიმალური მნიშვნელობა Მინ.

典型值 Თპ.

მაქსიმალური მნიშვნელობა Მაქსიმალური

单位 Ერთეული

Რ 25

ნომინალური რეზისტანსი

Შეფასებული წინააღმდეგობა

T C = 25 °C

5

kΩ

△Რ /R

R100 გადახრა

Deviation of R100

T C = 100 °C, Რ 100=493Ω

-5

5

%

P25

დისიპაციის ძალა

Ენერგიის დაკარგვა

T C = 25 °C

20

მვთ

B 25/50

B- 值

B-მასპინძელი

Რ 2 = Რ 25exp [ბ] 25/501/T 2 — 1/(298.15 K))]

3375

Კ

B 25/80

B- 值

B-მასპინძელი

Რ 2 = Რ 25exp [ბ] 25/801/T 2 — 1/(298.15 K))]

3411

Კ

B 25/100

B- 值

B-მასპინძელი

Რ 2 = Რ 25exp [ბ] 25/1001/T 2 — 1/(298.15 K))]

3433

Კ

სიმბოლო Სიმბოლო

参数名称 Პარამეტრი

პარამეტრები

Გამოცდის პირობები

მინიმალური მნიშვნელობა Მინ.

典型值 Თპ.

მაქსიმალური მნიშვნელობა Მაქსიმალური

单位 Ერთეული

Ი CES

კოლექტორის გაწყვეტილი დენი

Კოლექტორის გამორთული დენი

V GE = 0V, V CE = V CES

1

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T vj =150 °C

40

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T vj =175 °C

60

mA

Ი Გენერალური საწვავის სისტემა

გატვირთვის დენი

Გეით გამოსვლის დიდება

V GE = ±20V, V CE = 0V

0.5

μA

V GE (TH)

极 —ოვაციური ღირებულება ელექტროპატენცია Ღობეების ზღვრული ძაბვა

Ი C = 60mA, V GE = V CE

5.1

5.7

6.3

V

V CE (სატური) (*1)

集电极 —ეთერზომიერი და ელექტროპრესი

Კოლექტორ-გამომცემის სიმკვრივე

ვოლტი

V GE =15 ვოლტი, Ი C = 1800A

1.70

V

V GE =15 ვოლტი, Ი C = 1800A, T vj = 150 °C

2.10

V

V GE =15 ვოლტი, Ი C = 1800A, T vj = 175 °C

2.15

V

Ი F

ორსულიანი პირდაპირი ელექტრო ნაკადი Დიოდური წინასწარი დენი

DC

1800

Ა

Ი FRM

二极管正向重复峰值电流 ორიგინალური ელექტრო ნაკადი Დიოდი მაქსიმალური წინააღმდეგ მდგომარეობა nt

t P = 1ms

3600

Ა

V F (*1)

ორსულიანი პირდაპირი ელექტროწნევის

Დიოდის წინამავალი ძაბვა

Ი F = 1800A, V GE = 0

1.60

V

Ი F = 1800A, V GE = 0, T vj = 150 °C

1.75

V

Ი F = 1800A, V GE = 0, T vj = 175 °C

1.75

V

Ი SC

მოკლე ჩართვის მიმდინარე

Მოკლემეტრაჟიანი მიმდინარე

T vj = 175°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, t p ≤10μs,

V CE(მაქს) = V CES – L(*2) ×di\/dt, IEC 60747-9

7400

Ა

Cies

შესვლის კაპასიტივობა

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE = 25 ვოლტი, V GE = 0V, f = 100kHz

542

nF

Qგ

გატვირთვის დატვირთვა

Კარიბჭის გადასახადი

±15V

23.6

μC

Cres

უკანასკნელი გადაცემის კაპასიტივობა

Საპირისპირო გადაცემის სიმძლავრე

V CE = 25 ვოლტი, V GE = 0V, f = 100kHz

0.28

nF

LsCE

მოდულის შეხვეული ინდუქტიურობა

Module stray inducta nce

8.4

nH

Რ CC ’+EE ’

მოდულის წინაპირი რეზისტანსი, ტერმინალი —ჩიპი Წუთი odule lead წინაღობას, terminal-chip

თითოეულ გადართვისას

per switch

0.20

mΩ

Რ Გინტი

შინაარსიანი გატების რეზისტორი

Შიდა კარიბჭე რეზისტორი

1

ω

სიმბოლო Სიმბოლო

参数名称 Პარამეტრი

ტესტ-თეორიები

Გამოცდის პირობები

მინიმალური მნიშვნელობა Მინ.

典型值 Თპ.

მაქსიმალური მნიშვნელობა Მაქსიმალური

单位 Ერთეული

t d(off)

关断延迟时间

Გამორთვის დაგვიანების დრო

Ი C =1800A,

V CE = 900V,

V GE = ±15V, Რ G ((OFF) = 0.5Ω, LᲬამი = 25nH,

დ v ∕dt =3800V∕μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

1000

n

T vj = 150 °C

1200

T vj = 175 °C

1250

t f

დასვენების დრო Შემოდგომის დრო

T vj = 25 °C

245

n

T vj = 150 °C

420

T vj = 175 °C

485

EᲒათიშული

关断损耗

Გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

T vj = 25 °C

425

mJ

T vj = 150 °C

600

T vj = 175 °C

615

t d(on)

ვენთვნვნვნვნჟ თმვნ

Ჩართვის შეფერხების დრო

Ი C =1800A,

V CE = 900V,

V GE = ±15V, Რ G ((ON) = 0.5Ω, LᲬამი = 25nH,

დ ი ∕dt = 8500A∕μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

985

n

T vj = 150 °C

1065

T vj = 175 °C

1070

t რ

მოსვლის დრო Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

T vj = 25 °C

135

n

T vj = 150 °C

205

T vj = 175 °C

210

EᲩართულია

ვენეცია

Ჩართვის ენერგია დანარჩენი

T vj = 25 °C

405

mJ

T vj = 150 °C

790

T vj = 175 °C

800

Qrr

ორსულიანი საპირისპირო აღდგენის ელექტროტვირთვა Დიოდი უკან

აღდგენის გადასახადი

Ი F =1800A, V CE = 900V,

- ჟ ი F /dt = 8500A∕μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

420

μC

T vj = 150 °C

695

T vj = 175 °C

710

Ი rr

ორსულიანი საპირისპირო რეზერვუაციული ელექტრო ნაკადი Დიოდი უკან

აღდგენის დენი

T vj = 25 °C

1330

Ა

T vj = 150 °C

1120

T vj = 175 °C

1100

Eრეკ

二极管 უკუმიმართულების აღდგენის დანაკარგი Დიოდი უკან

აღდგენის ენერგია

T vj = 25 °C

265

mJ

T vj = 150 °C

400

T vj = 175 °C

420