CRRC, TG1800HF17H1-S500, IGBT მოდული, ნახევარი ხიდის IGBT

სიმბოლო Სიმბოლო

参数名称 Პარამეტრი

ტესტ-თეორიები

Გამოცდის პირობები

რიცხვური მნიშვნელობა Ღირებულება

单位 Ერთეული

V CES

集电极 -გამტარი ძაბვა

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

V GE = 0V, T C= 25 °C

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

极 -გამტარი ძაბვა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

T C= 25 °C

± 20

V

IC

კოლექტორის დენი

Კოლექტორ-გამომცემის დენი

T C = 85 °C, T vj მაქს. = 175°C

1800

A

IC(PK)

集电极峰值电流

Პიკის კოლექტორის მიმდინარე

t Პ =1ms

3600

A

Პ მაქს.

ტრანზისტორის ნაწილში მაქსიმალური დაკარგვა

Მაქსიმალური ტრანზიტორის ენერგიის გაფანტვა

T vj = 175°C, T C = 25 °C

9.38

კვ

I2t

დიოდი I2t 值 Დიოდი I2t

V Რ =0V, t Პ = 10 მს T vj = 175 °C

551

kA2ს

V isol

იზოლაციის ძაბვა (模块 )

Იზოლაცია ვოლტი -მდე მოდული

ოლქსჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკ ( დაკავშირებული ტერმინალი s-მდე ძირით დაყრდნობით), Აც RMS1 მინიმუმ 50 ჰერცტი, T C= 25 °C

4000

V

პარამეტრი Სიმბოლო

განმარტება

Განმარტება

值 Ღირებულება

单位 Ერთეული

ასვლის დისტანცია

Სრიალების მანძილი

ტერმინალი -გამხვირველი

Ტერმინალი კაცრის თბილსასუფთავე

36.0

მმ

ტერმინალი -ტერმინალი

Ტერმინალი ტერმინალამდე

28.0

მმ

იზოლაციის间隙 Სუფთა სივრცე

ტერმინალი -გამხვირველი

Ტერმინალი კაცრის თბილსასუფთავე

21.0

მმ

ტერმინალი -ტერმინალი

Ტერმინალი ტერმინალამდე

19.0

მმ

საპარასიტო წვდომის ინდექსი

CTI (Comparative Tracking Index)

400

სიმბოლო Სიმბოლო

参数名称 Პარამეტრი

ტესტ-თეორიები

Გამოცდის პირობები

მინიმალური მნიშვნელობა Მინ.

典型值 Თპ.

მაქსიმალური მნიშვნელობა Მაქსიმალური

单位 Ერთეული

Რ th(j-c) IGBT

IGBT 结壳热阻

Თერმული წინადადება – IGBT

16

K \/ კვ

Რ th(j-c) Დიოდი

დიოდის结壳热阻

Თერმული წინადადება – Დიოდი

33

K \/ კვ

Რ th ((c-h) IGBT

კონტაქტური თერმული წინააღმდეგობა (IGBT)

Თერმული წინადადება –

დაფიქსირება გამყოფზე (IGBT)

მონტაჟის მომენტი 5Nm, თერმული ზეთი 1W\/m·K Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა 5Nm,

თან მონტაჟი ცრემლი 1W\/m·K

14

K \/ კვ

Რ th ((c-h) Დიოდი

კონტაქტური თერმული წინააღმდეგობა (Diode)

Თერმული წინადადება –

დაფიქსირება გამყოფზე (Diode)

მონტაჟის მომენტი 5Nm, თერმული ზეთი 1W\/m·K Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა 5Nm,

თან მონტაჟი ცრემლი 1W\/m·K

17

K \/ კვ

T vjop

სამუშაო კავშირი

Მუშაობის კავშირი температура

IGBT ჩიპი ( IGBT )

-40

150

°C

დიოდის ჩიპი ( Diode )

-40

150

°C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

ოვაციური ტემპერატურა

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40

150

°C

Მ

მონტაჟის მომენტი

Შრიფტის ბრუნვის მომენტი

მონტაჟისთვის – M5 Მონტაჟი – M5

3

6

Nm

სქემური ურთიერთკავშირისთვის – M4

Ელექტრო კავშირები – M4

1.8

2.1

Nm

სქემური ურთიერთკავშირისთვის – M8

Ელექტრო კავშირები – M8

8

10

Nm

სიმბოლო Სიმბოლო

参数名称 Პარამეტრი

ტესტ-თეორიები

Გამოცდის პირობები

მინიმალური მნიშვნელობა Მინ.

典型值 Თპ.

მაქსიმალური მნიშვნელობა Მაქსიმალური

单位 Ერთეული

Რ th(j-c) IGBT

IGBT 结壳热阻

Თერმული წინადადება – IGBT

16

K \/ კვ

Რ th(j-c) Დიოდი

დიოდის结壳热阻

Თერმული წინადადება – Დიოდი

33

K \/ კვ

Რ th ((c-h) IGBT

კონტაქტური თერმული წინააღმდეგობა (IGBT)

Თერმული წინადადება –

დაფიქსირება გამყოფზე (IGBT)

მონტაჟის მომენტი 5Nm, თერმული ზეთი 1W\/m·K Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა 5Nm,

თან მონტაჟი ცრემლი 1W\/m·K

14

K \/ კვ

Რ th ((c-h) Დიოდი

კონტაქტური თერმული წინააღმდეგობა (Diode)

Თერმული წინადადება –

დაფიქსირება გამყოფზე (Diode)

მონტაჟის მომენტი 5Nm, თერმული ზეთი 1W\/m·K Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა 5Nm,

თან მონტაჟი ცრემლი 1W\/m·K

17

K \/ კვ

T vjop

სამუშაო კავშირი

Მუშაობის კავშირი температура

IGBT ჩიპი ( IGBT )

-40

150

°C

დიოდის ჩიპი ( Diode )

-40

150

°C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

ოვაციური ტემპერატურა

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40

150

°C

Მ

მონტაჟის მომენტი

Შრიფტის ბრუნვის მომენტი

მონტაჟისთვის – M5 Მონტაჟი – M5

3

6

Nm

სქემური ურთიერთკავშირისთვის – M4

Ელექტრო კავშირები – M4

1.8

2.1

Nm

სქემური ურთიერთკავშირისთვის – M8

Ელექტრო კავშირები – M8

8

10

Nm

სიმბოლო Სიმბოლო

参数名称 Პარამეტრი

ტესტ-თეორიები

Გამოცდის პირობები

მინიმალური მნიშვნელობა Მინ.

典型值 Თპ.

მაქსიმალური მნიშვნელობა Მაქსიმალური

单位 Ერთეული

Რ 25

ნომინალური რეზისტანსი

Შეფასებული წინააღმდეგობა

T C = 25 °C

5

kΩ

△Რ /R

R100 გადახრა

Deviation of R100

T C = 100 °C, Რ 100=493Ω

-5

5

%

Პ 25

დისიპაციის ძალა

Ენერგიის დაკარგვა

T C = 25 °C

20

მვთ

B 25/50

B- 值

B-მასპინძელი

Რ 2 = Რ 25exp [ბ] 25/501/T 2 - 1/(298.15 K))]

3375

Კ

B 25/80

B- 值

B-მასპინძელი

Რ 2 = Რ 25exp [ბ] 25/801/T 2 - 1/(298.15 K))]

3411

Კ

B 25/100

B- 值

B-მასპინძელი

Რ 2 = Რ 25exp [ბ] 25/1001/T 2 - 1/(298.15 K))]

3433

Კ

სიმბოლო Სიმბოლო

参数名称 Პარამეტრი

პარამეტრები

Გამოცდის პირობები

მინიმალური მნიშვნელობა Მინ.

典型值 Თპ.

მაქსიმალური მნიშვნელობა Მაქსიმალური

单位 Ერთეული

ICES

კოლექტორის გაწყვეტილი დენი

Კოლექტორის გამორთული დენი

V GE = 0V, V CE = V CES

1

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T vj =150 °C

40

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T vj =175 °C

60

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

გატვირთვის დენი

Გეით გამოსვლის დიდება

V GE = ±20V, V CE = 0V

0.5

μA

V GE (TH)

极 -ოვაციური ღირებულება ელექტროპატენცია Ღობეების ზღვრული ძაბვა

IC = 60mA, V GE = V CE

5.1

5.7

6.3

V

V CE (სატური) (*1)

集电极 -ეთერზომიერი და ელექტროპრესი

Კოლექტორ-გამომცემის სიმკვრივე

ვოლტი

V GE =15 ვოლტი, IC = 1800A

1.70

V

V GE =15 ვოლტი, IC = 1800A, T vj = 150 °C

2.10

V

V GE =15 ვოლტი, IC = 1800A, T vj = 175 °C

2.15

V

IF

ორსულიანი პირდაპირი ელექტრო ნაკადი Დიოდური წინასწარი დენი

DC

1800

A

IFRM

二极管正向重复峰值电流 ორიგინალური ელექტრო ნაკადი Დიოდი მაქსიმალური წინააღმდეგ მდგომარეობა nt

t Პ = 1ms

3600

A

V F (*1)

ორსულიანი პირდაპირი ელექტროწნევის

Დიოდის წინამავალი ძაბვა

IF = 1800A, V GE = 0

1.60

V

IF = 1800A, V GE = 0, T vj = 150 °C

1.75

V

IF = 1800A, V GE = 0, T vj = 175 °C

1.75

V

ISC

მოკლე ჩართვის მიმდინარე

Მოკლემეტრაჟიანი მიმდინარე

T vj = 175°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, t პ ≤10μs,

V CE(მაქს) = V CES – L(*2) ×di\/dt, IEC 60747-9

7400

A

Cies

შესვლის კაპასიტივობა

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE = 25 ვოლტი, V GE = 0V, f = 100kHz

542

nF

Კითხვა g

გატვირთვის დატვირთვა

Კარიბჭის გადასახადი

±15V

23.6

μC

Cres

უკანასკნელი გადაცემის კაპასიტივობა

Საპირისპირო გადაცემის სიმძლავრე

V CE = 25 ვოლტი, V GE = 0V, f = 100kHz

0.28

nF

LsCE

მოდულის შეხვეული ინდუქტიურობა

Module stray inducta nce

8.4

nH

Რ CC ’+EE ’

მოდულის წინაპირი რეზისტანსი, ტერმინალი -ჩიპი Მ odule lead წინაღობას, terminal-chip

თითოეულ გადართვისას

per switch

0.20

mΩ

Რ Გინტი

შინაარსიანი გატების რეზისტორი

Შიდა კარიბჭე რეზისტორი

1

ω

სიმბოლო Სიმბოლო

参数名称 Პარამეტრი

ტესტ-თეორიები

Გამოცდის პირობები

მინიმალური მნიშვნელობა Მინ.

典型值 Თპ.

მაქსიმალური მნიშვნელობა Მაქსიმალური

单位 Ერთეული

t d(off)

关断延迟时间

Გამორთვის დაგვიანების დრო

IC =1800A,

V CE = 900V,

V GE = ±15V, Რ G ((OFF) = 0.5Ω, LᲡ = 25nH,

d v ∕dt =3800V∕μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

1000

n

T vj = 150 °C

1200

T vj = 175 °C

1250

t f

დასვენების დრო Შემოდგომის დრო

T vj = 25 °C

245

n

T vj = 150 °C

420

T vj = 175 °C

485

Ე Გათიშული

关断损耗

Გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

T vj = 25 °C

425

mJ

T vj = 150 °C

600

T vj = 175 °C

615

t d(on)

ვენთვნვნვნვნჟ თმვნ

Ჩართვის შეფერხების დრო

IC =1800A,

V CE = 900V,

V GE = ±15V, Რ G ((ON) = 0.5Ω, LᲡ = 25nH,

d i ∕dt = 8500A∕μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

985

n

T vj = 150 °C

1065

T vj = 175 °C

1070

t რ

მოსვლის დრო Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

T vj = 25 °C

135

n

T vj = 150 °C

205

T vj = 175 °C

210

Ე Ჩართული

ვენეცია

Ჩართვის ენერგია დანარჩენი

T vj = 25 °C

405

mJ

T vj = 150 °C

790

T vj = 175 °C

800

Კითხვა rr

ორსულიანი საპირისპირო აღდგენის ელექტროტვირთვა Დიოდი უკან

აღდგენის გადასახადი

IF =1800A, V CE = 900V,

- ჟ i F /dt = 8500A∕μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

420

μC

T vj = 150 °C

695

T vj = 175 °C

710

Irr

ორსულიანი საპირისპირო რეზერვუაციული ელექტრო ნაკადი Დიოდი უკან

აღდგენის დენი

T vj = 25 °C

1330

A

T vj = 150 °C

1120

T vj = 175 °C

1100

Ე რეკ

二极管 უკუმიმართულების აღდგენის დანაკარგი Დიოდი უკან

აღდგენის ენერგია

T vj = 25 °C

265

mJ

T vj = 150 °C

400

T vj = 175 °C

420