GD150HFU120C2SD, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C @ ტ C =85 o C

241

150

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

300

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =150 o C

1262

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

150

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

300

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +125-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =150A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 o C

2.90

3.35

V

I C =150A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 o C

3.60

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =3.0 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T vj =25 o C

5.0

6.1

7.0

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.50

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =30V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

19.2

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.60

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

1.83

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =150A, R G =6.8Ω,Ls=48nH, V Გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =25 o C

74

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

92

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

401

n

t f

Შემოდგომის დრო

31

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

19.0

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

3.09

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =150A, R G =6.8Ω, Ls=48nH, V Გენერალური საწარმოები =±15V,T vj =125 o C

61

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

95

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

444

n

t f

Შემოდგომის დრო

47

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

22.5

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

3.99

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =125 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

975

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

I F =150A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

I F =150A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125 o C

1.90

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =150A,

-di/dt=1480A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, LS =48 nH ,T vj =25 o C

13.7

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

91

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

4.01

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =150A,

-di/dt=1560A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, LS =48 nH ,T vj =125 o C

22.1

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

111

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

6.65

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

30

nH

R CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

0.35

mΩ

R thJC

Გადასასვლელი -რომ -Შემთხვევა (perIGBT ) Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.099 0.259

Კვ/ვ

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.028 0.072 0.010

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M5 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

300

g