GD150HFU120C2SD, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C@ ტ C=85o C

241

150

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

300

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =150o C

1262

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

150

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

300

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +125-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=150A,V GE =15 ვოლტი, T vj =25o C

2.90

3.35

V

IC=150A,V GE =15 ვოლტი, T vj =125o C

3.60

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=3.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.0

6.1

7.0

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.50

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =30V,f=1MHz, V GE =0V

19.2

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.60

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =-15...+15 ვოლტი

1.83

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=150A, Რ G=6.8Ω,Ls=48nH, V GE =±15V,T vj =25o C

74

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

92

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

401

n

t f

Შემოდგომის დრო

31

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

19.0

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

3.09

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=150A, Რ G=6.8Ω, Ls=48nH, V GE =±15V,T vj =125o C

61

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

95

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

444

n

t f

Შემოდგომის დრო

47

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

22.5

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

3.99

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V GE =15 ვოლტი,

T vj =125o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

975

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

IF =150A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =150A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =150A,

-di/dt=1480A/μs,V GE =-15V, LS =48nH ,T vj =25o C

13.7

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

91

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

4.01

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =150A,

-di/dt=1560A/μs,V GE =-15V, LS =48nH ,T vj =125o C

22.1

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

111

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

6.65

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

30

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

0.35

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი --დან -Შემთხვევა (perIGBT ) Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.099 0.259

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.028 0.072 0.010

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M5 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

300

g