GD900HFX120P1SA,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C

@ ტ C= 100o C

1522

900

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1800

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

5.24

კვ

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

900

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1800

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Სიჩარე

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 წუთი

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=900A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.70

2.15

V

IC=900A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

1.95

IC=900A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.00

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=22.5mA ,V CE =V GE , T ჯ =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V,

T ჯ =25o C

1.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.63

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

93.2

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

2.61

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =-15 ﹍+15V

6.99

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=900A, Რ G=1.6Ω,

V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

214

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

150

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

721

n

t f

Შემოდგომის დრო

206

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

76

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

128

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=900A, Რ G=1.6Ω,

V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =125o C

235

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

161

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

824

n

t f

Შემოდგომის დრო

412

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

107

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

165

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=900A, Რ G=1.6Ω,

V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =150o C

235

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

161

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

876

n

t f

Შემოდგომის დრო

464

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

112

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

180

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs,V GE =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

3600

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

IF =900A,V GE =0V,T ჯ =25o C

1.90

2.25

V

IF =900A,V GE =0V,T ჯ = 125o C

1.85

IF =900A,V GE =0V,T ჯ = 150o C

1.80

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15 ვოლტი T ჯ =25o C

86

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

475

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

36.1

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15 ვოლტი T ჯ = 125o C

143

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

618

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

71.3

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15 ვოლტი T ჯ = 150o C

185

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

665

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

75.1

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

δR/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C= 100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2-

1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2-

1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2-

1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

18

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.30

mΩ

Რ thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Კვანძები (D-ზე) იოდი)

28.6

51.9

K/kW

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

14.0

25.3

4.5

K/kW

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მ4 Ტერმინალის კავშირი Ტორქი, Მუხრუჭი M8 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

1.8

8.0

3.0

2.1

10

6.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

825

g