GD400HFQ120C2SD, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C

@ ტ C=100o C

769

400

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

800

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175o C

2272

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=400A,V GE =15 ვოლტი, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=400A,V GE =15 ვოლტი, T vj =125o C

2.25

IC=400A,V GE =15 ვოლტი, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=16.00mA ,V CE =V GE ,T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V,

T vj =25o C

1.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0.5

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

43.2

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

1.18

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =- 15…+15V

3.36

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=400A, Რ G=2Ω, LᲡ =45nH ,

V GE =±15 ვოლტი, T vj =25o C

288

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

72

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

314

n

t f

Შემოდგომის დრო

55

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

43.6

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

12.4

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=400A, Რ G=2Ω, LᲡ =45nH ,

V GE =±15 ვოლტი, T vj =125o C

291

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

76

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

351

n

t f

Შემოდგომის დრო

88

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

57.6

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

17.1

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=400A, Რ G=2Ω, LᲡ =45nH ,

V GE =±15 ვოლტი, T vj =150o C

293

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

78

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

365

n

t f

Შემოდგომის დრო

92

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

62.8

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

18.6

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V GE =15 ვოლტი,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1500

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

IF =400A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =400A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =400A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Კითხვა რ

Აღდგენილი

Დავალება

V Რ =600 ვოლტი,I F =400A,

-di/dt=4130A/μs,V GE =- 15V, LᲡ =45nH ,T vj =25o C

38.8

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

252

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

11.2

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი

Დავალება

V Რ =600 ვოლტი,I F =400A,

-დი /dt = 3860A/μs, V GE =- 15V, LᲡ =45nH ,T vj =125o C

61.9

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

255

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

18.7

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი

Დავალება

V Რ =600 ვოლტი,I F =400A,

-დი /dt = 3720A/μs, V GE =- 15V, LᲡ =45nH ,T vj =150o C

75.9

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

257

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

20.5

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.35

mΩ

Რ thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.066

0.115

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.031

0.055

0.010

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

300

g