GD400HFQ120C2SD, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C

@ ტ C =100 o C

769

400

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

800

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =1 75o C

2272

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 o C

1.85

2.30

V

I C =400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 o C

2.25

I C =400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 o C

2.35

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =16.00 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები ,T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული

Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V,

T vj =25 o C

1.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0.5

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

43.2

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

1.18

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V

3.36

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, R G =2Ω, L S =45 nH ,

V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T vj =25 o C

288

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

72

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

314

n

t f

Შემოდგომის დრო

55

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

43.6

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

12.4

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, R G =2Ω, L S =45 nH ,

V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T vj =125 o C

291

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

76

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

351

n

t f

Შემოდგომის დრო

88

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

57.6

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

17.1

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, R G =2Ω, L S =45 nH ,

V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T vj =150 o C

293

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

78

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

365

n

t f

Შემოდგომის დრო

92

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

62.8

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

18.6

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1500

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

I F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

I F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125 o C

1.90

I F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150 o C

1.95

Q r

Აღდგენილი

Დავალება

V R =600 ვოლტი,I F =400A,

-di/dt=4130A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V, L S =45 nH ,T vj =25 o C

38.8

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

252

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

11.2

mJ

Q r

Აღდგენილი

Დავალება

V R =600 ვოლტი,I F =400A,

-დი /dt = 3860A/μs, V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V, L S =45 nH ,T vj =125 o C

61.9

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

255

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

18.7

mJ

Q r

Აღდგენილი

Დავალება

V R =600 ვოლტი,I F =400A,

-დი /dt = 3720A/μs, V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V, L S =45 nH ,T vj =150 o C

75.9

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

257

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

20.5

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

R CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.35

mΩ

R thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.066

0.115

Კვ/ვ

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.031

0.055

0.010

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

300

g