GD200CEX120C8SN,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C @ T C=100o C

363

200

A

ICRM

Განმეორებადი Პიკი Კოლექციონერი Მიმდინარე tp შეზღუდული მიერ T vjop

400

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175o C

1293

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

IF

Დიოდის უწყვეტ წინააღმდეგ ტექსი ent

200

A

IFRM

Განმეორებადი Პიკი Წინასწარი Მიმდინარე tp შეზღუდული მიერ T vjop

400

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=200A,V GE =15 ვოლტი, T vj =25o C

1.75

2.20

V

IC=200A,V GE =15 ვოლტი, T vj =125o C

2.00

IC=200A,V GE =15 ვოლტი, T vj =150o C

2.05

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=8.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.0

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

18.6

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.52

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =-15 ...+15V

1.40

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=200A, Რ G=2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =25o C

140

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

31

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

239

n

t f

Შემოდგომის დრო

188

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

11.2

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

13.4

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=200A, Რ G=2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =125o C

146

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

36

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

284

n

t f

Შემოდგომის დრო

284

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

19.4

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

18.9

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=200A, Რ G=2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =150o C

148

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

37

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

294

n

t f

Შემოდგომის დრო

303

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

21.7

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

19.8

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V GE =15 ვოლტი,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

800

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

IF =200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5710A/μs, Ls=50nH, V GE =-15V, T vj =25o C

20.0

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

220

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

7.5

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=4740A/μs, Ls=50nH, V GE =-15V, T vj =125o C

34.3

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

209

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

12.9

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=4400A/μs, Ls=50nH, V GE =-15V, T vj =150o C

38.7

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

204

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

14.6

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ thJC

Გადასასვლელი --დან -Შემთხვევა (perIGBT ) Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.116 0.185

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.150 0.239 0.046

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M5 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

2.5 2.5

3.5 3.5

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

200

g