Ყველა კატეგორია
Მიიღეთ ციტატა

Მიიღეთ უფასო გამოთვლა

Ჩვენი წარმომადგენელი მალე დაუკავშირდებათ.
Ელ. ფოსტა
Სახელი
Company Name
Message
0/1000

Სუპერ ჯანქშენის MOSFET

Სუპერ ჯანქშენის MOSFET

Მთავარი გვერდი /  Პროდუქტები /  MOSFET /  Super Junction MOSFET

Სუპერ ჯანქშენის MOSFET, 550 В–950 В

Ჩვენი კომპანიის სუპერ ჯანქშენის MOSFET-ის სერიის პროდუქტები წარმოებულია ღრმა ტრენჩებისა და მრავალი ეპიტაქსიური ტექნოლოგიის გამოყენებით და ახასიათდება ძალზე დაბალი ჩართვის წინაღობით და გეიტის მუხტით, რაც მნიშვნელოვნად ამცირებს გამტარობისა და გადართვის დანაკარგებს. ისინი განსაკუთრებით შესაფერებელია მაღალი სიმძლავრის სიმჭიდროვისა და მაღალი ეფექტურობის ელექტროენერგიის გარდაქმნის სისტემებისთვის.

Brand:
YT
Spu:
Სუპერ ჯანქშენის MOSFET
Appurtenance:

Პრეპარატის ბროშურა:Გადმოწერეთ

  • Შესავალი
Შესავალი

Სუპერჯანქშენის MOSFET-ის ტექნიკური უპირატესობები

Სუპერჯანქშენის MOSFET-ი გამოიყენებს გვერდითი ელექტრული ველის კონტროლს P-ტიპის სვეტების ალტერნირებას მეშვეობით, რაც ეფუძნება ტრადიციული VDMOS-ის დიზაინს და საშუალებას აძლევს ვერტიკალური ელექტრული ველის განაწილებას მიაღწიოს იდეალურად მართკუთხა ფორმას.

Იგივე ეპიტაქსიური წინაღობის პირობებში ეს სტრუქტურა მოწყობილობის ძაბვის მოსატანად შესაძლებლობას მიაღწევს დაახლოებით 20%-ით. როცა პროდუქტები ძაბვის ნომინალური მნიშვნელობა იგივეა, სუპერჯანქშენის ტექნოლოგია შეძლებს ერთეული ფართობის ჩართვის წინაღობას შეამციროს ტრადიციული სტრუქტურებში არსებული მნიშვნელობის 1/8-ზე ნაკლებამდე, რაც საშუალებას აძლევს გატარების დანაკარგებისა და ბლოკირების მახასიათებლების სინერგიულად ოპტიმიზირებას.

Ჩვენი კომპანიის სუპერ ჯანქშენის MOSFET-ის სერიის პროდუქტები წარმოებულია ღრმა ტრენჩებისა და მრავალი ეპიტაქსიური ტექნოლოგიის გამოყენებით და ახასიათდება ძალზე დაბალი ჩართვის წინაღობით და გეიტის მუხტით, რაც მნიშვნელოვნად ამცირებს გამტარობისა და გადართვის დანაკარგებს. ისინი განსაკუთრებით შესაფერებელია მაღალი სიმძლავრის სიმჭიდროვისა და მაღალი ეფექტურობის ელექტროენერგიის გარდაქმნის სისტემებისთვის.

Რატომ აირჩიოთ ჩვენი MOSFET-ის სერიის პროდუქტები?

  • Დაბალი გატარების დანაკარგი

  • Დაბალი გადართვის დანაკარგი

  • Მაღალი სიმძლავრის სიმკვრივე

  • Სრული პროდუქტების ასორტიმენტი

Აპლიკაციები

  • Ავტომობილის მუხტვარი (OBC)
  • სერვერის საკვების წყარო
  • კომუნიკაციის საკვების წყარო
  • Ავტომობილზე დამონტაჟებული DC/DC
  • სარეცხი პილა
  • charger
  • ადაპტერი
  • Ტელევიზორის ელექტრომომარაგება
  • ახალი ენერგია
  • LED
  • PC

Სუპერ ჯანქშენის MOSFET-ის სქემატური დიაგრამა (მრავალი ეპიტაქსია)

超结MOSFET多次外延示意图.png

Პლანარი MOSFET-ისა და სუპერ ჯანქშენის MOSFET-ის შედარება

超结MOSFET示意图.png

Ჩვენ შესახებ

Ჩვენ განვითარებაზე ვარჯიშობთ აპლიკაცია iGBT პროდუქტების. IGBT-ის გამოყენების საფუძველზე, ჩვენ გავაფართოეთ ჩვენი პროდუქტის ასортიმენტი მაღალი კლასის ელექტრო მოწყობილობების კომპლექტაციის მიხედვით, ამავე დროს, ჩვენი ბიზნესი გავაფართოეთ ავტომატიზაციის კონტროლის პროდუქტების სფეროში, რომლებიც შეიცავს ADC/ DAC, LDO, სასწორი ამპლიფიკატორები, ელექტრო რელეები, PhotoMOS და MOSFET. ამგვარად, ჩვენ შეგვიძლია თანამშრომლობა ჩინეთის წამყვან მწარმოებლებთან ჩვენი სპეციალობის სფეროში, რათა მომხმარებლებს მივაწოდოთ საიმედო და ეკონომიურად სარგებლობითი პროდუქტები.
Დაარსებული ინოვაციებისა და შესრულების პრინციპებზე, ვიმყოფით ნახევარგამტარი ალტერნატიული ამონაწევებისა და ტექნოლოგიის წინა ლინიაზე.
Ჩვენი მიზანია ჩვენი კლიენტებისთვის ალტერნატიული ამონახსნების მიწოდება, მათი აპლიკაციური ამონახსნების ეფექტიანობის გაუმჯობესება და მათი მიწოდების ჯაჭვის უსაფრთხოების უზრუნველყოფა China-ში წარმოებული პროდუქების საშუალებით.

办公场景.png公司门头.png

生产车间1-缩小.png生产车间2-缩小.png质量控制.png

Shipping packag-4.jpgShipping packag-6.jpg

Ჩვენი მომხმარებლები

Usres.png

Მიიღეთ უფასო გამოთვლა

Ჩვენი წარმომადგენელი მალე დაუკავშირდებათ.
Ელ. ფოსტა
Სახელი
Company Name
Message
0/1000

Დაკავშირებული პროდუქტი

Პროდუქტებთან დაკავშირებით კითხვები გაქვთ?

Ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
Თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.

Მიიღეთ ციტატა

Მიიღეთ უფასო გამოთვლა

Ჩვენი წარმომადგენელი მალე დაუკავშირდებათ.
Ელ. ფოსტა
Სახელი
Company Name
Message
0/1000

Მიიღეთ უფასო გამოთვლა

Ჩვენი წარმომადგენელი მალე დაუკავშირდებათ.
Ელ. ფოსტა
Სახელი
Company Name
Message
0/1000