Სუპერჯანქშენის MOSFET-ის ტექნიკური უპირატესობები
Სუპერჯანქშენის MOSFET-ი გამოიყენებს გვერდითი ელექტრული ველის კონტროლს P-ტიპის სვეტების ალტერნირებას მეშვეობით, რაც ეფუძნება ტრადიციული VDMOS-ის დიზაინს და საშუალებას აძლევს ვერტიკალური ელექტრული ველის განაწილებას მიაღწიოს იდეალურად მართკუთხა ფორმას.
Იგივე ეპიტაქსიური წინაღობის პირობებში ეს სტრუქტურა მოწყობილობის ძაბვის მოსატანად შესაძლებლობას მიაღწევს დაახლოებით 20%-ით. როცა პროდუქტები ძაბვის ნომინალური მნიშვნელობა იგივეა, სუპერჯანქშენის ტექნოლოგია შეძლებს ერთეული ფართობის ჩართვის წინაღობას შეამციროს ტრადიციული სტრუქტურებში არსებული მნიშვნელობის 1/8-ზე ნაკლებამდე, რაც საშუალებას აძლევს გატარების დანაკარგებისა და ბლოკირების მახასიათებლების სინერგიულად ოპტიმიზირებას.
Ჩვენი კომპანიის სუპერ ჯანქშენის MOSFET-ის სერიის პროდუქტები წარმოებულია ღრმა ტრენჩებისა და მრავალი ეპიტაქსიური ტექნოლოგიის გამოყენებით და ახასიათდება ძალზე დაბალი ჩართვის წინაღობით და გეიტის მუხტით, რაც მნიშვნელოვნად ამცირებს გამტარობისა და გადართვის დანაკარგებს. ისინი განსაკუთრებით შესაფერებელია მაღალი სიმძლავრის სიმჭიდროვისა და მაღალი ეფექტურობის ელექტროენერგიის გარდაქმნის სისტემებისთვის.
Რატომ აირჩიოთ ჩვენი MOSFET-ის სერიის პროდუქტები?
Დაბალი გატარების დანაკარგი
Დაბალი გადართვის დანაკარგი
Მაღალი სიმძლავრის სიმკვრივე
Სრული პროდუქტების ასორტიმენტი
Აპლიკაციები
- Ავტომობილის მუხტვარი (OBC)
- სერვერის საკვების წყარო
- კომუნიკაციის საკვების წყარო
- Ავტომობილზე დამონტაჟებული DC/DC
- სარეცხი პილა
- charger
- ადაპტერი
- Ტელევიზორის ელექტრომომარაგება
- ახალი ენერგია
- LED
- PC
Სუპერ ჯანქშენის MOSFET-ის სქემატური დიაგრამა (მრავალი ეპიტაქსია)

Პლანარი MOSFET-ისა და სუპერ ჯანქშენის MOSFET-ის შედარება

Ჩვენ შესახებ
Ჩვენ განვითარებაზე ვარჯიშობთ გამოყენება iGBT პროდუქტებისა და IC-ების შესახებ. IGBT IC-ების გამოყენების საფუძველზე ჩვენ გავაფართოვეთ ჩვენს პროდუქტების სპექტრს მაღალი კლასის ენერგო ასემბლების ინდივიდუალური დამზადების მიმართულებით. ამავე დროს, ჩვენი საქმიანობა გაფართოვდა ავტომატიზაციის მარეგულირებლების სფეროში, რომელშიც შედის ADC/DAC, LDO, ინსტრუმენტული ამპლიფიკატორები, ელექტრომაგნიტური რელეები, PhotoMOS და MOSFET. ამ გზით ჩვენ შეგვიძლია ჩვენს საკვალიფიკაციო სფეროში ჩინეთის წამყარ წარმოებლებთან თანამშრომლობა და ჩვენს მომხმარებლებს სანდო და სარგებლიანი პროდუქტების მიწოდება.
Დაარსებული ინოვაციებისა და შესრულების პრინციპებზე, ვიმყოფით ნახევარგამტარი ალტერნატიული ამონაწევებისა და ტექნოლოგიის წინა ლინიაზე.
Ჩვენი მიზანია ჩვენი კლიენტებისთვის ალტერნატიული ამონახსნების მიწოდება, მათი აპლიკაციური ამონახსნების ეფექტიანობის გაუმჯობესება და მათი მიწოდების ჯაჭვის უსაფრთხოების უზრუნველყოფა China-ში წარმოებული პროდუქების საშუალებით.







Ჩვენი მომხმარებლები
