Სუპერჯანქშენის MOSFET-ის ტექნიკური უპირატესობები
## მაღალი სიკონტროლო შეძლებილობის სუპერ ჯანქშენის MOSFET-ები
Ჩვენი სუპერ ჯანქშენის MOSFET-ები დაფუძნებულია განვითარებულ სუპერ ჯანქშენის ტექნოლოგიაზე, რომელიც პროდუქტები უზრუნველყოფს მაღალი ძაბვის შეძლებილობის, მაღალი ეფექტურობის და განსაკუთრებული სანდოობის შორის შესანიშნავ ბალანსს. ინოვაციური მუხტის კომპენსაციის სტრუქტურის დიზაინის წყალობით მოწყობილობები ეფექტურად ამცირებენ ჩართული მდგომარეობის წინაღობას (RDS(on)), ამცირებენ გამტარობის დანაკარგებს და აუმჯობესებენ სისტემის სრულ ეფექტურობას.
Სუპერ ჯანქშენის MOSFET-ები აღინიშნება სწრაფი გადართვის შეძლებილობით, დაბალი პარაზიტული პარამეტრებით და განსაკუთრებული თერმული სტაბილურობით, რაც მათ აკმაყოფილებს მაღალი სიხშირისა და მაღალი სიმძლავრის სიმჭიდროვის მოთხოვნებს. ისინი ფართოდ გამოიყენება სამრეწველო ძაბვის მომარაგების სისტემებში, სერვერების ძაბვის მომარაგების სისტემებში, EV მოწყობილობების მოსატენებლად, ფოტოელექტრული ენერგიის შენახვის სისტემებში და მოძრავი ძრავების მართვის მოდულებში.
Განვითარებული ნახსენის ტექნოლოგიის და მკაცრი ხარისხის კონტროლის წყალობით ჩვენი სუპერ ჯანქშენის MOSFET-ები მომარაგებს მსოფლიოს მომხმარებლებს მაღალი სიკონტროლო შეძლებილობის, სანდო ძაბვის ნახსენის ამოხსნებით.
Სუპერჯანქშენის MOSFET-ი გამოიყენებს გვერდითი ელექტრული ველის კონტროლს P-ტიპის სვეტების ალტერნირებას მეშვეობით, რაც ეფუძნება ტრადიციული VDMOS-ის დიზაინს და საშუალებას აძლევს ვერტიკალური ელექტრული ველის განაწილებას მიაღწიოს იდეალურად მართკუთხა ფორმას.
Იგივე ეპიტაქსიური წინაღობის პირობებში ეს სტრუქტურა მოწყობილობის ძაბვის მოსატანადობის შეძლებლობას მიაღწევს დაახლოებით 20%-ით. იგივე ძაბვის კლასის პროდუქტებში სუპერჯანქშნის ტექნოლოგია შეძლებს ერთეულ ფართობზე ჩართვის წინაღობის შემცირებას ტრადიციული სტრუქტურებში არსებული მნიშვნელობის 1/8-ზე ნაკლებამდე, რაც ახდენს გამტარობის და დაბლოკვის მახასიათებლების სინერგიულ ოპტიმიზაციას.
Ჩვენი კომპანიის სუპერ ჯანქშენის MOSFET-ის სერიის პროდუქტები წარმოებულია ღრმა ტრენჩებისა და მრავალი ეპიტაქსიური ტექნოლოგიის გამოყენებით და ახასიათდება ძალზე დაბალი ჩართვის წინაღობით და გეიტის მუხტით, რაც მნიშვნელოვნად ამცირებს გამტარობისა და გადართვის დანაკარგებს. ისინი განსაკუთრებით შესაფერებელია მაღალი სიმძლავრის სიმჭიდროვისა და მაღალი ეფექტურობის ელექტროენერგიის გარდაქმნის სისტემებისთვის.
Რატომ აირჩიოთ ჩვენი MOSFET-ის სერიის პროდუქტები?
Დაბალი გატარების დანაკარგი
Დაბალი გადართვის დანაკარგი
Მაღალი სიმძლავრის სიმკვრივე
Სრული პროდუქტების ასორტიმენტი
Გამოყენების სფეროები
- Ავტომობილის მუხტვარი (OBC)
- სერვერის საკვების წყარო
- კომუნიკაციის საკვების წყარო
- Ავტომობილზე დამონტაჟებული DC/DC
- სარეცხი პილა
- charger
- ადაპტერი
- Ტელევიზორის ელექტრომომარაგება
- ახალი ენერგია
- LED
- PC
Სუპერ ჯანქშენის MOSFET-ის სქემატური დიაგრამა (მრავალი ეპიტაქსია)

Პლანარი MOSFET-ისა და სუპერ ჯანქშენის MOSFET-ის შედარება

Ჩვენს შესახებ
Ჩვენ განვითარებაზე ვარჯიშობთ გამოყენება iGBT პროდუქტებისა და IC-ების შესახებ. IGBT IC-ების გამოყენების საფუძველზე ჩვენ გავაფართოვეთ ჩვენს პროდუქტების სპექტრს მაღალი კლასის ენერგო ასემბლების ინდივიდუალური დამზადების მიმართულებით. ამავე დროს, ჩვენი საქმიანობა გაფართოვდა ავტომატიზაციის მარეგულირებლების სფეროში, რომელშიც შედის ADC/DAC, LDO, ინსტრუმენტული ამპლიფიკატორები, ელექტრომაგნიტური რელეები, PhotoMOS და MOSFET. ამ გზით ჩვენ შეგვიძლია ჩვენს საკვალიფიკაციო სფეროში ჩინეთის წამყარ წარმოებლებთან თანამშრომლობა და ჩვენს მომხმარებლებს სანდო და სარგებლიანი პროდუქტების მიწოდება.
Დაარსებული ინოვაციებისა და შესრულების პრინციპებზე, ვიმყოფით ნახევარგამტარი ალტერნატიული ამონაწევებისა და ტექნოლოგიის წინა ლინიაზე.
Ჩვენი მიზანია ჩვენი კლიენტებისთვის ალტერნატიული ამონახსნების მიწოდება, მათი აპლიკაციური ამონახსნების ეფექტიანობის გაუმჯობესება და მათი მიწოდების ჯაჭვის უსაფრთხოების უზრუნველყოფა China-ში წარმოებული პროდუქების საშუალებით.







Ჩვენი მომხმარებლები
