GD750HFA120C6S,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Ის C

Კოლექტორის დენი @ T C =100o C

750

Ა

Ის CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

1500

Ა

P D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175o C

3125

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

Ის F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

900

Ა

Ის FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

1500

Ა

Ის FSM

Წინგადაცემული დენი t p =10ms @ T vj =25o C @ ტ vj =150o C

3104

2472

Ა

Ის 2t

Ის 2თ- ღირებულება ,t p =10ms @ T vj =25o C @ ტ vj =150o C

48174

30554

Ა 2ს

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Ის C =750A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25o C

1.35

1.85

V

Ის C =750A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125o C

1.55

Ის C =750A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =175o C

1.55

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Ის C =24.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

Ის CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Ის Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0.5

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

85.2

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.45

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

6.15

μC

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =750A,

Რ G =0.5Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

Ლ Ს =40nH ,T vj =25o C

238

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

76

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

622

n

t f

Შემოდგომის დრო

74

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

68.0

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

52.8

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =750A, Რ G =0.5Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

Ლ Ს =40nH ,T vj =125o C

266

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

89

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

685

n

t f

Შემოდგომის დრო

139

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

88.9

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

67.4

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =750A, Რ G =0.5Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

Ლ Ს =40nH ,T vj =175o C

280

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

95

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

715

n

t f

Შემოდგომის დრო

166

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

102

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

72.7

mJ

Ის SC

Ს.კ. მონაცემები

t P ≤ 8μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2500

Ა

t P ≤ 6μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =175o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Ის F =750A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

Ის F =750A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125o C

1.65

Ის F =750A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =175o C

1.65

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-8V, Ლ Ს =40nH ,T vj =25o C

79.7

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

369

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

23.3

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-8V, Ლ Ს =40nH ,T vj =125o C

120

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

400

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

39.5

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-8V, Ლ Ს =40nH ,T vj =175o C

151

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

423

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

49.7

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C =100 o C ,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Ლ CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.80

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი -და -Შემთხვევა (perIGBT ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.048 0.088

Კვ/ვ

Რ thCH

Შემთხვევა -და -Თბილსასუფთავე (perIGBT )Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.028 0.051 0.009

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

350

g