GD750HFA120C6S,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =100o C

750

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1500

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175o C

3125

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

900

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1500

Ა

I FSM

Წინგადაცემული დენი t პ =10ms @ T vj =25o C @ ტ vj =150o C

3104

2472

Ა

I 2t

I 2თ- ღირებულება ,t პ =10ms @ T vj =25o C @ ტ vj =150o C

48174

30554

Ა 2s

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =750A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25o C

1.35

1.85

V

I C =750A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125o C

1.55

I C =750A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =175o C

1.55

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =24.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25o C

1.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0.5

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

85.2

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.45

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

6.15

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =750A,

R G =0.5Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

L S =40nH ,T vj =25o C

238

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

76

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

622

n

t f

Შემოდგომის დრო

74

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

68.0

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

52.8

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =750A, R G =0.5Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

L S =40nH ,T vj =125o C

266

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

89

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

685

n

t f

Შემოდგომის დრო

139

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

88.9

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

67.4

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =750A, R G =0.5Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-8V/+15V,

L S =40nH ,T vj =175o C

280

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

95

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

715

n

t f

Შემოდგომის დრო

166

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

102

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

72.7

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 8μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2500

Ა

t Პ ≤ 6μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =175o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

I F =750A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

I F =750A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125o C

1.65

I F =750A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =175o C

1.65

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-8V, L S =40nH ,T vj =25o C

79.7

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

369

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

23.3

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-8V, L S =40nH ,T vj =125o C

120

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

400

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

39.5

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-8V, L S =40nH ,T vj =175o C

151

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

423

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

49.7

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

R 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

Გადახრა of R 100

T C =100 o C ,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ენერგია

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

R CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.80

mΩ

R thJC

Გადასასვლელი -რომ -Შემთხვევა (perIGBT ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.048 0.088

Კვ/ვ

R thCH

Შემთხვევა -რომ -Თბილსასუფთავე (perIGBT )Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.028 0.051 0.009

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

350

g