GD750HFA120C6S,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=100o C

750

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1500

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175o C

3125

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

900

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1500

A

IFSM

Წინგადაცემული დენი t პ =10ms @ T vj =25o C @ ტ vj =150o C

3104

2472

A

I2t

I2თ- ღირებულება ,t პ =10ms @ T vj =25o C@ ტ vj =150o C

48174

30554

A2ს

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=750A,V GE =15 ვოლტი, T vj =25o C

1.35

1.85

V

IC=750A,V GE =15 ვოლტი, T vj =125o C

1.55

IC=750A,V GE =15 ვოლტი, T vj =175o C

1.55

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0.5

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

85.2

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.45

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =-15...+15 ვოლტი

6.15

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=750A,

Რ G=0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

LᲡ =40nH ,T vj =25o C

238

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

76

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

622

n

t f

Შემოდგომის დრო

74

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

68.0

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

52.8

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=750A, Რ G=0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

LᲡ =40nH ,T vj =125o C

266

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

89

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

685

n

t f

Შემოდგომის დრო

139

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

88.9

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

67.4

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=750A, Რ G=0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

LᲡ =40nH ,T vj =175o C

280

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

95

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

715

n

t f

Შემოდგომის დრო

166

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

102

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

72.7

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 8μs, V GE =15 ვოლტი,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2500

A

t Პ ≤ 6μs, V GE =15 ვოლტი,

T vj =175o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

IF =750A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

IF =750A,V GE =0V,T vj =125o C

1.65

IF =750A,V GE =0V,T vj =175o C

1.65

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =-8V, LᲡ =40nH ,T vj =25o C

79.7

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

369

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

23.3

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V GE =-8V, LᲡ =40nH ,T vj =125o C

120

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

400

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

39.5

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-8V, LᲡ =40nH ,T vj =175o C

151

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

423

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

49.7

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C=100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.80

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი --დან -Შემთხვევა (perIGBT ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.048 0.088

Კვ/ვ

Რ thCH

Შემთხვევა --დან -Თბილსასუფთავე (perIGBT )Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.028 0.051 0.009

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

350

g