Შემოკლებული წარმოდგენა
Თირისტორი/დიოდის მოდული e, MTx1000 MFx1000 MT1000 ，1000A,Წყლის გაგრილება ，ნაოპაგთლ ნა TECHSEM.
VRRM,VDRM |
Ტიპი და კონტური |
|
600V
800V
1000 ვოლტი
1200 ვოლტი
1400V
1600V
1800V
1800V
|
MTx1000-06-411F3 MTx1000-08-411F3 MTx1000-10-411F3 MTx1000-12-411F3 MTx1000-14-411F3 MTx1000-16-411F3 MTx1000-18-411F3 MTx1000-18-411F3 MTx1000-18-411F3 |
MFx1000-06-411F3
MFx1000-08-411F3
MFx1000-10-411F3
MFx1000-12-411F3
MFx1000-14-411F3
MFx1000-16-411F3
MFx1000-18-411F3
|
|
MTx ნიშნავს ნებისმიერი ტიპის MTC, MTA, MTK
MFx ნიშნავს ნებისმიერი ტიპის MFC, MFA, MFK
|
Მახასიათებლები
- Იზოლირებული მონტაჟის ბაზა 3000V~
- Წნევის კონტაქტის ტექნოლოგია
- Გაზრდილი ენერგიის ციკლის შესაძლებლობა
- Სივრცისა და წონის დაზოგვა
Ტიპიური გამოყენებები
- Მუდმივი დენის მქონე ძრავები
- Სხვადასხვა რექტიფიკატორები
- PWM ინვერტისთვის დისტანციური დენის მიწოდება
|
Სიმბოლო
|
Მახასიათებელი
|
Გამოცდის პირობები
|
Tj( ℃) |
Ღირებულება |
Ერთეული
|
Წუთი |
Ტიპი |
Მაქს. |
IT(AV) |
Საშუალო ჩართული მიმდინარე |
180°ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz
Ერთპიროვნული გაგრილება, THS=55 ℃
|
125
|
|
|
1000 |
A |
IT(RMS) |
RMS აქტიური მიმდინარე |
|
|
1570 |
A |
Ირმ ირმ |
Განმეორებითი პიკური დენი |
vDRM-ზე VRRM-ზე |
125 |
|
|
55 |
mA |
ITSM |
Სერჟი ჩართული მიმდინარე |
VR=60%VRRM, t=10ms ნახევარი სინუსი |
125 |
|
|
26.0 |
kA |
I2t |
I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის |
125 |
|
|
3380 |
103A2წმ |
VTO |
Საფეხური ძაბვა |
|
125
|
|
|
0.81 |
V |
რტ |
Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა |
|
|
0.21 |
mΩ |
VTM |
Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა |
ITM=3000A |
25 |
|
|
2.05 |
V |
dv/dt |
Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μS |
di/dt |
Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე |
Გეითის წყარო 1.5A
tr ≤0,5μs Განმეორებადი
|
125 |
|
|
200 |
A/μS |
IGT |
Კარის ტრიგერის მიმდინარე |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
30 |
|
200 |
mA |
Vgt |
Კარების ტრიგერის ძაბვა |
0.8 |
|
3.0 |
V |
IH |
Შენარჩუნების მიმდინარე |
10 |
|
200 |
mA |
IL |
Ჩაკეტვის მიმდინარე |
|
|
1000 |
mA |
VGD |
Არატრიგერის კარების ძაბვა |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე |
Ერთპიროვნულად გაგრილებული ჩიპი |
|
|
|
0.048 |
℃/W |
Rth(c-h) |
Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე |
Ერთპიროვნულად გაგრილებული ჩიპი |
|
|
|
0.018 |
℃/W |
VISO |
Იზოლაციის ძაბვა |
50Hz,R.M.S,t= 1წუთი,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
|
FM
|
Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი ((M12) |
|
|
12 |
|
16 |
N·მ |
Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა ((M8) |
|
|
10 |
|
12 |
N·მ |
Tvj |
Ჯუნქციის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
TSTG |
Შენახვის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Წონა |
|
|
|
3230 |
|
გ |
Კონტური |
411F3 |
EN
