MFC70, შედუღების თირისტორის რექტიფიკატორი მოდული, ჰაერის გაგრილება

VDSM, VRSM

VDRM, VRRM

Ტიპი და კონტური

900V

800V

MFC70-08-224H3

1100V

1000 ვოლტი

MFC70-10-224H3

1300V

1200 ვოლტი

MFC70-12-224H3

1500V

1400V

MFC70-14-224H3

1700V

1600V

MFC70-16-224H3

1900V

1800V

MFC70-18-224H3

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj( °C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IT(AV)

Საშუალო ჩართული მიმდინარე

180° ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz

Ერთმხრივი გაგრილება, Tc =85 °C

125

70

Ა

IT(RMS)

RMS აქტიური მიმდინარე

125

110

Ა

Ირმ ირმ

Განმეორებითი პიკური დენი

vDRM-ზე VRRM-ზე

125

15

mA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=60%VRRM

125

1.8

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

16.2

Ა ²s* 10 ³

VTO

Საფეხური ძაბვა

125

0.75

V

რტ

Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

3.64

m ω

VTM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=210A

25

1.80

V

dv/dt

Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=67%VDRM

125

1000

V/ μ s

di/dt

Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

Გეითის წყარო 1.5A

ტრ ≤ 0.5μ s განმეორებითი

125

200

A/ μ s

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.6

2.5

V

IH

Შენარჩუნების მიმდინარე

10

250

mA

VGD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.35

°C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.15

°C /W

VISO

Იზოლაციის ძაბვა

50Hz,R.M.S,t= 1წუთი,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Თერმული კავშირი ტორქი (M5)

2.5

4.0

N ·m

Მონტაჟის ტორქე(M6)

4.0

6.0

N ·m

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

125

°C

Wt

Წონა

100

g

Კონტური

224H3