H38KPU-KT33dT, ფაზური კონტროლის თირისტორი.

IT(AV)

350A

VDRM, VRRM

7500V 8000V

8500V

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj( °C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IT(AV)

Საშუალო ჩართული მიმდინარე

180° ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz

Ორმხრივი გაგრილებული TC=70 °C

125

300

Ა

VDRM VRRM

Განმეორებითი პიკი გამორთული ძაბვა განმეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა

tp=10ms

125

7300

8500

V

Ირმ ირმ

Განმეორებითი პიკური დენი

@VDRM @VRRM

125

200

mA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

125

4.0

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

80

Ა ²s* 10 ³

VTO

Საფეხური ძაბვა

125

2.02

V

რტ

Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

2.19

mΩ

VTM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=500A, F= 15kN

25

3.00

V

dv/dt

Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=0.67VDRM

125

2000

V/μS

di/dt

Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM= 67%VDRM,

Კარიბჭის პულსი tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

100

A/μS

Კრრ

Აღდგენის გადასახადი

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR= 100V

125

1500

μC

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

Vgt

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.8

3.0

V

IH

Შენარჩუნების მიმდინარე

20

200

mA

IL

Ჩაკეტვის მიმდინარე

500

mA

VGD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=0.67VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

1800 სინის დროს, ორმხრივი გაგრილებული კლამპირების ძალა 15kN

0.045

°C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

0.008

°C /W

FM

Მონტაჟის ძალა

10

15

20

kN

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

140

°C

Wt

Წონა

300

g

Კონტური

KT33dT