GD600SGU120C2S,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Ის C

Კოლექტორის დენი @ T C =25o C

@ ტ C =70o C

830

600

Ა

Ის CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

1200

Ა

P D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =150o C

4032

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

Ის F

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

600

Ა

Ის FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

1200

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +125-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Სიჩარე

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

Ის C =600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

2.90

3.35

V

Ის C =600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

3.60

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Ის C =6.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25o C

5.0

5.8

6.6

V

Ის CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25o C

5.0

mA

Ის Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.25

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V Გენერალური საწარმოები =0V

39.0

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

2.55

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =- 15…+15V

6.30

μC

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A, Რ G = 1. 1Ω,

V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

205

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

50

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

265

n

t f

Შემოდგომის დრო

140

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

50.4

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

20.0

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A, Რ G = 1. 1Ω,

V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

210

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

55

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

275

n

t f

Შემოდგომის დრო

175

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

66.0

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

28.9

mJ

Ის SC

Ს.კ. მონაცემები

t P ≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =125o C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

3900

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

Ის F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

2.25

2.70

V

Ის F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125o C

2.35

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

- დი/დტ= 12kA/μs,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

42.0

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

492

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

16.6

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

- დი/დტ= 12kA/μs,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

80.4

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

672

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

37.9

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Ლ CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

0.18

mΩ

Რ thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.031

0.070

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.051

0.114

0.035

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მ4 Ტერმინალის კავშირი Ტორქი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

300

g