Მოკლე შესავალი
IGCT-ის სერიის პროდუქტები
Ჩვენი კომპანია აწარმოებს მაღალი ეფექტურობის ინტეგრირებულ გეით-კომუტირებად თირისტორს (IGCT) პროდუქტები მაღალი სიმძლავრისა და საშუალო ძაბვის ელექტრონული სიმძლავრის გამოყენებისთვის. IGCT აერთიანებს თირისტორის ტექნოლოგიის და მოწინავე გეითის კომუტაციის ტექნოლოგიის უპირატესობებს, რაც ხასიათდება მაღალი ძაბვის მოსახლეობით, ულტრამაღალი დენის მოსახლეობით, დაბალი გამტარობის დანაკარგებით, შესანიშნავი გადართვის მახასიათებლებით და გამორჩეული სანდოობით.
IGCT-ის პროდუქტების ასორტიმენტი შეიცავს ორ ძირევან სერიას:
1. უკუმიმდევრო IGCT (RC-IGCT)
Უკუმიმდევრო IGCT აერთიანებს IGCT-ს და თავისუფალი გადართვის დიოდს ერთ ნარევ ნახსენის სტრუქტურაში, რაც უზრუნველყოფს კომპაქტურ ამოხსნას შესანიშნავი გადართვის მახასიათებლებით და გამარტივებული სისტემის დიზაინით. იგი ფართოდ გამოიყენება საშუალო ძაბვის მძრავებში, კონვერტერებში და მაღალი სიმძლავრის ინვერტერულ სისტემებში.
2. ასიმეტრიული IGCT (A-IGCT)
Ასიმეტრიული IGCT განკუთვნილია მაღალი სიმძლავრის გადართვის მოწყობილობებისთვის და ახასიათებს განსაკუთრებული გამორთვის შესაძლებლობა, დაბალი გამტარობის დანაკარგები და მაღალი დენის სიმჭიდროვე. იგი შეიმუშავებულია მოთხოვნით მომუშავე მოწყობილობებისთვის, რომლებსაც სჭირდება მაქსიმალური სიმძლავრის მოსახლეობა, მათ შორის საშუალო ძაბვის კონვერტერები, სამრეწველო ძრავები და მაღალი სიმძლავრის ენერგიის გარდაქმნის სისტემები.
Ჩვენი IGCT პროდუქტები ადვანსირებული ნახსენის ტექნოლოგიით და სანდო პრეს-პეკ გასაყიდად მზადებული არის და უზრუნველყოფს ეფექტურ და სანდო ამონახსნებს HVDC სისტემების, აღადგენადი ენერგიის გარდაქმნის, სამრეწველო მოტორული ძრავების, ტრაქციის სისტემების და სხვა მაღალი სიმძლავრის გამოყენების სფეროებისთვის
Გამოყენების სფეროები
Მაღალი სიმძლავრის კონვერტერი
Ძრავის მართვის აღჭურვილობა
Მოქნილი გადაცემის სისტემა
Მახასიათებლები
Თვითგამორთვის შესაძლებლობით
Დაბალი ოპერაციული დანაკარგები
Იყოს შესაბამისი გამოყენება სერიაში
Გასაღები Პარამეტრები
V DRM |
4500 |
V |
Ის TGQM |
5000 |
Ა |
Ის TSM |
35 |
kA |
V Და |
1.22 |
V |
რ T |
0.28 |
mΩ |
V DClink |
2800 |
V |
Დაბლოკვა Მონაცემი
Სიმბოლო |
Მდგომარეობა |
Მნ |
Ტიპი |
Მაქს. |
Ერთეული |
V DRM |
TVJ = 125℃ , I D ≤ I DRM, tp = 10 მს |
- |
- |
4500 |
V |
I DRM |
TVJ = 125℃ , VD = V DRM, tp = 10 მს |
- |
- |
50 |
mA |
dv/dt |
TVJ = 125℃ , VD = 0.67 × V DRM |
|
|
1000 |
Ვოლტი/მიკროწამი |
VDClink |
100 FIT შეცდომის სიხშირის შესაბამად დასაშვები საშუალო დამუხტვის ძაბვა |
- |
- |
2800 |
V |
VRRM |
/ |
- |
- |
17 |
V |
Ჩართული მდგომარეობა Მონაცემი
Სიმბოლო |
Მდგომარეობა |
Მნ |
Ტიპი |
Მაქს. |
Ერთეული |
Ის T(RMS) |
TC = 85℃ , სინუსოიდური ნახევარტალღა, ორმხრივი გაგრილება |
- |
- |
3000 |
Ა |
|
Ის TSM
Ის 2t
|
TVJ = 125℃ , სინუსოიდური ნახევარტალღა, 10 მს, VD = VR = 0 |
-
-
|
-
-
|
35
545
|
kA
104Ა 2ს
|
V TM |
TVJ = 125℃ , IT = 5000 A |
- |
2.37 |
2.61 |
V |
|
V Და
რ T
|
TVJ = 125℃ , IT = 1000…5000 A
|
-
-
|
-
-
|
1.22
0.28
|
V მΩ |
Ჩართვა Მონაცემი
Სიმბოლო |
Მდგომარეობა |
Მნ |
Ტიპი |
Მაქს. |
Ერთეული |
diT/dt |
TVJ = 125℃ , IT = 5000 A, VD = 2800 V, f = 0…500 Hz |
- |
- |
5000 |
A/μs |
tdon |
|
- |
- |
4 |
μs |
|
t donSF
tr
|
TVJ = 125℃ , IT = 5000 A, VD = 2800 V, di/dt = VD/Li , CCL = 20 μF, RS = 0,4 Ω, Li = 3 μH, LCL = 0,3 μH |
-
-
|
-
-
|
8
1
|
μs
μs
|
E ჩართული |
|
- |
- |
1.8 |
Ჯ |
Გამორთვის მონაცემები
Სიმბოლო |
Მდგომარეობა |
Მნ |
Ტიპი ე |
Მაქს. |
Ერთეული |
|
Ის TGQM
|
TVJ = 125℃ , VDM ≤ VDRM , VD = 2800 V, LCL = 0,3 μH, CCL = 20 μF, RS = 0,4 Ω , f = 0…300 Hz
DFWD = DCL=SF8.FYB2000-45
|
-
|
-
|
5000
|
Ა
|
|
t doff
t doffSF
t f
E OFF
|
TVJ = 125℃ , ITGQ = 5000 A, VD = 2800 V, VDM ≤ VDRM , CCL = 20 μF, RS = 0,4 Ω
L i =4μH, L CL = 0.3μH
DFWD = DCL= SF8.FYB2000-45
|
-
-
-
-
|
-
-
-
28
|
8
10
1
33
|
μs
μs
μs
Ჯ
|
EN
