H76KPU, ფაზის კონტროლის თირისტორი

Სიმბოლო

Მახასიათებელი

Გამოცდის პირობები

Tj(°C )

Ღირებულება

Ერთეული

Წუთი

Ტიპი

Მაქს.

IT(AV)

Საშუალო ჩართული მიმდინარე

180°ნახევარი სინუსოიდური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება

TC=70 ℃

115

1000

A

Ირმ ირმ

Განმეორებითი პიკური დენი

vDRM-ზე tp= 10ms VRRM-ზე tp= 10ms

115

600

mA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

115

10.5

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

551

103A2s

VTO

Საფეხური ძაბვა

115

1.38

V

რტ

Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

0.90

mΩ

VTM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM= 1500A, F=32kN

25

2.80

V

dv/dt

Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=0.67VDRM

115

2000

V/μS

di/dt

Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=67%VDRM,

Კარიბჭის პულსი tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

115

200

A/μS

Კრრ

Აღდგენის გადასახადი

ITM=2000A,tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V

115

3800

μC

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

Vgt

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.8

3.0

V

IH

Შენარჩუნების მიმდინარე

25

200

mA

VGD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

115

0.3

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

Ორმაგი მხრიდან გაგრილებული დაჭერის ძალა 32kN

0.011

℃ /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

0.003

FM

Მონტაჟის ძალა

27

32

34

kN

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

115

℃

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

140

℃

Wt

Წონა

1140

გ

Კონტური

KT60dT