GD600HFX120C2SA , IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

Გადასასვლელი ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20 ±30

V

Მე C

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C @ T C=100o C

925

600

A

Მე Სმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

1200

A

PD

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

3000

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

Მე F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

600

A

Მე FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

1200

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Მე C=600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.65

2.00

V

Მე C=600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

1.95

Მე C=600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.00

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Მე C=24.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Მე CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი —Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25o C

1.0

mA

Მე Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

1.25

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

60.8

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

1.84

nF

Კ Გ

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

4.64

μC

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=600A, Რ Გ =1.2Ω, LᲬმ =34nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =25o C

339

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

95

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

468

n

t f

Შემოდგომის დრო

168

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

63.7

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

56.4

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=600A, Რ Გ =1.2Ω, LᲬმ =34nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =125o C

418

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

135

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

567

n

t f

Შემოდგომის დრო

269

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

108

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

72.3

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=600A, Რ Გ =1.2Ω, LᲬმ =34nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =150o C

446

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

151

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

602

n

t f

Შემოდგომის დრო

281

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

123

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

78.2

mJ

Მე SC

Ს.კ. მონაცემები

t P≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Მე F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

1.85

2.30

V

Მე F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125o C

1.90

Მე F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =150o C

1.95

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=5210A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, LᲬმ =34nH ,T ჯ =25o C

49.3

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

300

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

24.1

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=3490A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, LᲬმ =34nH ,T ჯ =125o C

85.2

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

314

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

33.8

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=3080A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, LᲬმ =34nH ,T ჯ =150o C

102

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

318

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

36.8

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.35

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი —– —Შემთხვევა (perIGBT ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.050 0.080

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.033 0.052 0.010

Კვ/ვ

Წთ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

Გ

Წონა შემდეგი Მოდული

300

გ