GD600HFX120C2SA , IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

Გადასასვლელი ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20 ±30

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C @ T C =100 o C

925

600

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1200

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 o C

3000

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

600

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1200

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

1.65

2.00

V

I C =600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 o C

1.95

I C =600A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 o C

2.00

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =24.0 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 o C

1.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

1.25

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

60.8

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

1.84

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

4.64

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A, R G =1.2Ω, L S =34 nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =25 o C

339

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

95

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

468

n

t f

Შემოდგომის დრო

168

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

63.7

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

56.4

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A, R G =1.2Ω, L S =34 nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =125 o C

418

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

135

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

567

n

t f

Შემოდგომის დრო

269

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

108

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

72.3

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =600A, R G =1.2Ω, L S =34 nH , V Გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =150 o C

446

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

151

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

602

n

t f

Შემოდგომის დრო

281

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

123

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

78.2

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

I F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 o C

1.85

2.30

V

I F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 25o C

1.90

I F =600A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 50o C

1.95

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=5210A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, L S =34 nH ,T ჯ =25 o C

49.3

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

300

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

24.1

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=3490A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, L S =34 nH ,T ჯ =125 o C

85.2

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

314

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

33.8

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =600A,

-di/dt=3080A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, L S =34 nH ,T ჯ =150 o C

102

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

318

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

36.8

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

R CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.35

mΩ

R thJC

Გადასასვლელი -რომ -Შემთხვევა (perIGBT ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.050 0.080

Კვ/ვ

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.033 0.052 0.010

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

300

g