Y40KSEA, ორმხრივი მართვის თირისტორი

IT(AV)

830Ა

VDRM, VRRM

500V 800V

1000V 1200 ვოლტი

1400V 1600V

1800

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj( °C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IT(RMS)

RMS მიმდინარე

50Hz სინუსური ტალღა

Ორმხრივი გაგრილება,

TC=55°C

125

1210

Ა

TC=85°C

830

VDRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

VDRM tp=10ms

VDSM=VDRM+100V

125

500

1800

V

IDRM

Განმეორებითი პიკური დენი

vDRM-ზე

125

50

mA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

125

7.8

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

304

A2s* 103

VTO

Საფეხური ძაბვა

125

1.00

V

რტ

Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

0.85

mΩ

VTM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM= 1200A, F= 18kN

125

2.70

V

dv/dt

Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=0.67VDRM

125

50

V/µs

di/dt

Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM= 67%VDRM 1000A-ზე,

Ღობეების იმპულსები tr ≤0.5μs IGM= 1.5A განმეორებადი

125

50

A/µs

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA= 12V, IA= 1A

25

20

350

mA

Vgt

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.8

3.5

V

IH

Შენარჩუნების მიმდინარე

20

400

mA

IL

Ჩაკეტვის მიმდინარე

500

mA

VGD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

ორმხრივი გაგრილებული კლამპირების ძალა 18kN

0.030

。C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამათბობელზე

0.008

FM

Მონტაჟის ძალა

15

20

kN

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

。C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

140

。C

Wt

Წონა

200

g

Კონტური

KA37