|
Სიმბოლო
|
Მახასიათებლები
|
Გამოცდის პირობები
|
Tj( 。C) |
Ღირებულება |
Ერთეული
|
Მნ |
Ტიპი |
Მაქს |
IF(AV) |
Საშუალო წინასწარი დენი |
180。ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz
Ორმხრივი გაგრილება, TC=85 。C
|
175 |
|
|
13500 |
Ა |
VRRM |
Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა |
tp=10ms |
175 |
200 |
|
400 |
V |
IRRM |
Განმეორებითი პიკური დენი |
vRRM-ზე |
175 |
|
|
75 |
mA |
IFSM |
Სალტო წინასწარი დენი |
10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0VRRM |
175
|
|
|
85 |
kA |
I2t |
I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის |
|
|
36000 |
103A2s |
VFO |
Საფეხური ძაბვა |
IFM=10000-30000A
|
175
|
|
|
0.76 |
V |
rF |
Წინასწარი სლოპის წინააღმდეგობა |
|
|
0.021 |
მΩ |
VFM |
Მაქსიმალური პიკი აქტიური ძაბვა |
IFM=6000A |
25 |
|
|
0.90 |
V |
Კრრ |
Აღდგენის გადასახადი |
IFM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V |
175 |
|
|
300 |
µC |
Rth(j-c) |
Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე |
1800 სინუსზე, ორმხრივი გაგრილება
|
|
|
|
0.004 |
。C /W
|
Rth(c-h) |
Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამათბობელზე |
|
|
|
0.002 |
FM |
Მონტაჟის ძალა |
|
|
55 |
65 |
80 |
kN |
Tvj |
Ჯუნქციის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
175 |
。C |
TSTG |
Შენახვის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
175 |
。C |
Wt |
Წონა |
|
|
|
160 |
|
g |
Კონტური |
Z58T |
EN
