600V~1800V, 406F3
Პრეპარატის ბროშურა:Გადმოწერეთ
Მოკლე შესავალი
Სწრაფი აღდგენის დიოდის მოდულები , MZ x40 0,Air Cooling ,ნაოპაგთლ ნა TECHSEM.
VRRM |
Ტიპი და კონტური |
|
600V 800V 1000 ვოლტი 1200 ვოლტი 1400V 1600V 1800V 1800V |
MZx400-06-406F3 MZx400-08-406F3 MZx400-10-406F3 MZx400-12-406F3 MZx400-14-406F3 MZx400-16-406F3 MZx400-18-406F3 MZx400-18-406F3G |
Მახასიათებლები ：
Ტიპიური გამოყენებები ：
|
Სიმბოლო |
Მახასიათებლები |
Გამოცდის პირობები |
Tj( °C ) |
Ღირებულება |
Ერთეული |
||
Მნ |
Ტიპი |
Მაქს |
|||||
IF(AV) |
Საშუალო წინასწარი დენი |
180° ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz ერთმხრივი გაგრილება, TC=60 °C |
150 |
|
|
400 |
Ა |
IF (RMS) |
RMS წინასწარი დენი |
|
|
628 |
Ა |
||
IRRM |
Განმეორებითი პიკური დენი |
vRRM-ზე |
150 |
|
|
70 |
mA |
IFSM |
Სალტო წინასწარი დენი |
10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM |
150 |
|
|
8.30 |
kA |
I2t |
I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის |
|
|
344 |
Ა 2s*103 |
||
VFO |
Საფეხური ძაბვა |
|
150 |
|
|
1.0 |
V |
rF |
Წინასწარი დახრის წინააღმდეგობა |
|
|
0.85 |
m |
||
VFM |
Პიკური წინასწარი ძაბვა |
IFM= 1200A |
25 |
|
|
2.1 |
V |
trr |
Უკუღმართი აღდგენის დრო |
IFM=300A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR=50V |
150 |
|
4.0 |
|
μs |
25 |
|
2.0 |
|
μs |
|||
Rth(j-c) |
Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე |
Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე |
|
|
|
0.130 |
°C /W |
Rth(c-h) |
Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე |
Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე |
|
|
|
0.040 |
°C /W |
VISO |
Იზოლაციის ძაბვა |
50Hz,R.M.S,t= 1წუთი,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
|
FM |
Ტერმინალის კავშირი ტორქი(M10) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N·მ |
Მონტაჟის ტორქე(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·მ |
|
Tvj |
Ჯუნქციის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
150 |
°C |
TSTG |
Შენახვის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
Wt |
Წონა |
|
|
|
1580 |
|
g |
Კონტური |
406F3 |
||||||
Ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
Თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.
EN
