GD400CUX120C2S, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Მე C

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C @ T C=100o C

636

400

A

Მე Სმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

800

A

PD

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175o C

2083

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

Მე F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

400

A

Მე FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

800

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Მე C=400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25o C

1.75

2.20

V

Მე C=400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125o C

2.00

Მე C=400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150o C

2.05

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Მე C=14.4mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Მე CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი —Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Მე Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.5

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

37.3

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

1.04

nF

Კ Გ

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

2.80

μC

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=400A, Რ Გ =2.0Ω, L Წმ =50nH ,V Გენერალური საწარმოები =±15V, T vj =25o C

223

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

49

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

334

n

t f

Შემოდგომის დრო

190

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

17.9

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

28.7

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=400A, Რ Გ =2.0Ω, L Წმ =50nH ,V Გენერალური საწარმოები =±15V, T vj =125o C

230

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

54

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

385

n

t f

Შემოდგომის დრო

300

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

29.4

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

41.2

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=400A, Რ Გ =2.0Ω, L Წმ =50nH ,V Გენერალური საწარმოები =±15V, T vj =150o C

228

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

57

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

393

n

t f

Შემოდგომის დრო

315

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

32.3

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

42.9

mJ

Მე SC

Ს.კ. მონაცემები

t P≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1600

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Მე F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

Მე F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125o C

1.90

Მე F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150o C

1.95

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =400A,

-di/dt=8030A/μs, L Წმ =50nH, V Გენერალური საწარმოები =-15V, T vj =25o C

33.6

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

374

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

13.6

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =400A,

-di/dt=7030A/μs, L Წმ =50nH, V Გენერალური საწარმოები =-15V, T vj =125o C

67.5

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

446

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

28.2

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =400A,

-დი/დტ=6880A/μs, L Წმ =50nH, V Გენერალური საწარმოები =-15V, T vj =150o C

75.5

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

452

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

31.4

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.35

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი —– —Შემთხვევა (perIGBT ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.072 0.113

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.023 0.036 0.010

Კვ/ვ

Წთ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

Გ

Წონა შემდეგი Მოდული

300

გ