GD225HFX170C6S, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Მე C

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C

@ ტ C= 100o C

396

225

A

Მე Სმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p = 1ms

450

A

PD

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

1530

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1700

V

Მე F

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

225

A

Მე FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

450

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Სიჩარე

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 წუთი

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

Მე C=225A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.85

2.20

V

Მე C=225A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

2.25

Მე C=225A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.35

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Მე C=9.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Მე CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი —Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25o C

5.0

mA

Მე Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

2.8

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V Გენერალური საწარმოები =0V

27.1

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

0.66

nF

Კ Გ

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =- 15…+15V

2.12

μC

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=225A, Რ Გონ =3.3Ω, Რ Გოფ =6.2Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი,

T ჯ =25o C

187

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

76

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

587

n

t f

Შემოდგომის დრო

350

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

56.1

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

52.3

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=225A, Რ Გონ =3.3Ω, Რ Გოფ =6.2Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი,

T ჯ = 125o C

200

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

85

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

693

n

t f

Შემოდგომის დრო

662

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

75.9

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

80.9

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=225A, Რ Გონ =3.3Ω, Რ Გოფ =6.2Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი,

T ჯ = 150o C

208

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

90

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

704

n

t f

Შემოდგომის დრო

744

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

82.8

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

87.7

mJ

Მე SC

Ს.კ. მონაცემები

t P≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

900

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

Მე F =225A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

1.80

2.25

V

Მე F =225A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125o C

1.90

Მე F =225A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150o C

1.95

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =25o C

63.0

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

352

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

37.4

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =125o C

107

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

394

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

71.0

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =150o C

121

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

385

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

82.8

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

δR/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C= 100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2—

1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2—

1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2—

1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

1.10

mΩ

Რ thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.098

0.158

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.029

0.047

0.009

Კვ/ვ

Წთ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m

Გ

Წონა შემდეგი Მოდული

350

გ