GD100PIX120C6SNA, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Ის C

Კოლექტორის დენი @ T C =25o C @ T C =100o C

155

100

Ა

Ის CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

200

Ა

P D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

511

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

Ის F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

100

Ა

Ის FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

200

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1600

V

Ის O

Საშუალო გამოსავალი ტითრი 5 0Hz/60Hz, სინუსოიდური 파동ი

100

Ა

Ის FSM

Წინგადაცემული დენი t p =10ms @ T ჯ =25o C @ ტ ჯ =150o C

1150

880

Ა

Ის 2t

Ის 2t-ღირებულება,t p =10ms @ T ჯ =25o C @ ტ ჯ =150o C

6600

3850

Ა 2ს

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Ის C

Კოლექტორის დენი @ T C =25o C @ T C =100o C

87

50

Ა

Ის CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

100

Ა

P D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

308

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

Ის F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

25

Ა

Ის FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

50

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური კავშირის ტემპერატურა (ინვერტერი, ბრეკი) Მაქსიმალური კავშირის ტემპერატურა (რექტიფიკატორი)

175

150

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Ის C =100A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.70

2.15

V

Ის C =100A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

1.95

Ის C =100A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.00

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Ის C =4.00mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Ის CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25o C

1.0

mA

Ის Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

7.5

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

10.4

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.29

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

0.78

μC

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =100A, Რ G =1.6Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

218

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

35

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

287

n

t f

Შემოდგომის დრო

212

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

9.23

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

6.85

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =100A, Რ G =1.6Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125o C

242

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

41

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

352

n

t f

Შემოდგომის დრო

323

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

13.6

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

9.95

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =100A, Რ G =1.6Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =150o C

248

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

43

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

365

n

t f

Შემოდგომის დრო

333

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

14.9

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

10.5

mJ

Ის SC

Ს.კ. მონაცემები

t P ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

400

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Ის F =100A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

1.85

2.30

V

Ის F =100A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125o C

1.90

Ის F =100A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =150o C

1.95

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =100A,

-di/dt=2500A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =25o C

5.89

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

103

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

3.85

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =100A,

-di/dt=2100A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =125o C

13.7

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

109

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

6.64

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =100A,

-di/dt=1950A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =150o C

15.6

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

109

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

7.39

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Ის F =100A, T ჯ =150o C

0.95

V

Ის Რ

Უკუქცევითი დენი

T ჯ =150o C,V Რ =1600V

2.0

mA

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Ის C =50A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.70

2.15

V

Ის C =50A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

1.95

Ის C =50A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.00

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Ის C =2.00mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Ის CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25o C

1.0

mA

Ის Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

5.18

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.15

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

0.39

μC

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =50A, Რ G =15Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

171

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

32

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

340

n

t f

Შემოდგომის დრო

82

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

6.10

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

2.88

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =50A, Რ G =15Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125o C

182

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

43

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

443

n

t f

Შემოდგომის დრო

155

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

8.24

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

4.43

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =50A, Რ G =15Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =150o C

182

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

43

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

464

n

t f

Შემოდგომის დრო

175

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

8.99

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

4.94

mJ

Ის SC

Ს.კ. მონაცემები

t P ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

200

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Ის F =25A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

1.85

2.30

V

Ის F =25A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125o C

1.90

Ის F =25A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =150o C

1.95

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =25o C

2.9

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

55

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

0.93

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =125o C

5.1

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

58

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

1.72

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი T ჯ =150o C

5.6

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

60

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

2.01

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C =100 o C ,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Ლ CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

40

nH

Რ CC+EE Რ AA ’+CC ’

Მოდული Lead Resista nce, ტერმინალი ჩიპს

4.00 3.00

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი -და -Შემთხვევა (perIGBT -ინვერტორი )

Კავშირი კერძოდ (თითოეულ დიოდ-ინვერტერისთვის) ინვერტერი)

Კავშირი კერძოდ (თითოეულ დიოდის მითითებით) იერი)

Გადასასვლელი -და -Შემთხვევა (perIGBT -მუხრუჭი -ჩოპერი ) Კაპიტალური წყარო-შემთხვევითი (თითოეული დიოდი-ბრეიკ-ჩოპ თითოეული)

0.293 0.505 0.503 0.487 1.233

Კვ/ვ

Რ thCH

Შემთხვევა -და -Თბილსასუფთავე (perIGBT -ინვერტორი )

Კეის-გამყოფა (თითო დიოდი-შენახვა) ინვერტერი)

Ქეის-გარმოსვლა (თითო დიოდი- რეკტიფიკატორი)

Შემთხვევა -და -Თბილსასუფთავე (perIGBT -მუხრუჭი -ჩოპერი )Კეის-გამყოფა (თითო დიოდი-გარბენივა) ჩოპერი) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009

Კვ/ვ

Მ

Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Ბურღი:M5

3.0

6.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

300

g