IGBT მოდული GD820HTA75P6H Starpower

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

750

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I CN

Განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

820

Ა

I C

Კოლექტორის დენი @ T F =90 o C

450

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1640

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის გადაცემა ატიონ @ T F =75 o C T ჯ =175 o C

751

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

750

V

I FN

Განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

820

Ა

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

450

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1640

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =450A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

1.10

1.35

V

I C =450A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 o C

1.15

I C =450A, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =175 o C

1.15

I C =820A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

1.30

I C =820A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =175 o C

1.50

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =12.9 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 o C

5.5

6.5

7.0

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 o C

1.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

1.0

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =50V,f=100kHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

72.3

nF

C oes

Გამოსავალი გამტარუნარიანობა

1.51

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.32

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V CE =400V, I C =450A, V Გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

4.77

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C =450A, R G =2.4Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-8V/+15V, L S =24nH,

T ჯ =25 o C

315

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

61

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

729

n

t f

Შემოდგომის დრო

70

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

12.4

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

18.3

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C =450A, R G =2.4Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-8V/+15V, L S =24nH,

T ჯ =150 o C

338

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

74

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

826

n

t f

Შემოდგომის დრო

151

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

20.7

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

25.3

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C =450A, R G =2.4Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-8V/+15V, L S =24nH,

T ჯ =175 o C

343

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

77

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

846

n

t f

Შემოდგომის დრო

171

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

25.0

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

27.3

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤6μs,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =25 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4500

Ა

t Პ ≤3μs,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =175 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3300

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

I F =450A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 o C

1.40

1.65

V

I F =450A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 50o C

1.35

I F =450A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 75o C

1.30

I F =820A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 o C

1.70

I F =820A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 75o C

1.65

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =400V, I F =450A,

-di/dt=7760A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-8 ვოლტი L S =24 nH ,T ჯ =25 o C

10.1

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

287

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

4.83

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =400V, I F =450A,

-di/dt=6300A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-8 ვოლტი L S =24 nH ,T ჯ =150 o C

25.6

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

341

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

9.32

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =400V, I F =450A,

-di/dt=5990A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-8 ვოლტი L S =24 nH ,T ჯ =175 o C

30.4

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

354

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

10.6

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

R 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

Გადახრა of R 100

T C =100 o C ,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ენერგია

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

8

nH

R CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.75

mΩ

△ პ

△ V/ △ t=10.0 dm 3/მნ ,T F =75 o C

64

მბარი

პ

Მაქსიმალური წნევა გაგრილების ცირკულაციაში კუტი

T საყრდენი პლატა <40 o C

T საყრდენი პლატა 40o C

(აბსოლუტური წნევა)

2.5 2.0

bar

R თი-ი-ფ

Გადასასვლელი -რომ -Გაგრილება Სითხე (perIGBT )Ჯუნქცია-კooling სითხეზე (D-ის მიხედვით იოდი) △ V/ △ t=10.0 dm 3/მნ ,T F =75 o C

0.116 0.175

0.133 0.200

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M5 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მ4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m

G

Წონა of Მოდული

750

g