IT(AV) |
520 |
VDRM, VRRM |
500V 800V
1000V 1200 ვოლტი
1400V 1600V
1800
|
Განსაკუთრებული მახასიათებლები ：
- Საერთაშორისო სტანდარტების კეისები
- Ჰერმეტული მეტალის ყუთები კერამიკული იზოლატორებით
- Კაფსულური პაკეტები ორმხრივი გაგრილებისათვის
Ტიპიური გამოყენებები
- Მაღალი სიმძლავრის ინდუსტრიული და ენერგიის გადაცემის
- DC და AC ძრავის კონტროლი
- AC კონტროლერები
|
Სიმბოლო
|
Მახასიათებელი
|
Გამოცდის პირობები
|
Tj(°C )
|
Ღირებულება |
Ერთეული
|
Წუთი |
Ტიპი |
Მაქს. |
|
IT(RMS)
|
RMS მიმდინარე
|
50Hz სინუსური ტალღა
Ორმხრივი გაგრილება,
|
TC=55°C |
125
|
|
|
730 |
Ა
|
TC=85 。C |
|
|
520 |
VDRM |
Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა |
VDRM tp=10ms
VDSM = VDRM +100V
|
125 |
500 |
|
1800 |
V |
IDRM |
Განმეორებითი პიკური დენი |
vDRM-ზე |
125 |
|
|
30 |
mA |
ITSM |
Სერჟი ჩართული მიმდინარე |
10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM |
125 |
|
|
5.0 |
kA |
I2t |
I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის |
|
|
125 |
A2s* 103 |
VTO |
Საფეხური ძაბვა |
|
125 |
|
|
0.85 |
V |
რტ |
Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა |
|
|
1.85 |
mΩ |
VTM |
Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა |
ITM=450A, F=7.0kN |
25 |
|
|
2.70 |
V |
dv/dt |
Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე |
VDM=0.67VDRM |
125 |
|
|
50 |
V/µs |
di/dt |
Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე |
VDM= 67% VDRM 800A-ზე,
Ღობეების იმპულსები tr ≤0.5μs IGM= 1.5A განმეორებადი
|
125 |
|
|
50 |
A/µs |
IGT |
Კარის ტრიგერის მიმდინარე |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
20 |
|
200 |
mA |
Vgt |
Კარების ტრიგერის ძაბვა |
0.8 |
|
2.5 |
V |
IH |
Შენარჩუნების მიმდინარე |
20 |
|
200 |
mA |
IL |
Ჩაკეტვის მიმდინარე |
|
|
500 |
mA |
VGD |
Არატრიგერის კარების ძაბვა |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.3 |
V |
Rth(j-c) |
Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე |
ორმხრივი გაგრილება
Დაჭერის ძალა 7.0kN
|
|
|
|
0.045 |
。C /W
|
Rth(c-h) |
Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამათბობელზე |
|
|
|
0.010 |
FM |
Მონტაჟის ძალა |
|
|
5.3 |
|
10 |
kN |
Tvj |
Ჯუნქციის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
125 |
。C |
TSTG |
Შენახვის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
140 |
。C |
Wt |
Წონა |
|
|
|
80 |
|
გ |
Კონტური |
KT25aT |
EN
