H100KFM, არასიმეტრიული სწრაფი გამორთვის თირისტორი

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj(°C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IT(AV)

Საშუალო ჩართული მიმდინარე

180。ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება,

TC=55°C

125

4500

Ა

TC=70°C

125

3800

Ა

VDRM

Განმეორებითი პიკი გამორთვის ძაბვა

tp=10ms

125

4000

4500

V

VRRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

125

1000

3000

V

Ირმ ირმ

Განმეორებითი პიკური დენი

vDRM-ზე VRRM-ზე

125

500

mA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

125

50

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

12500

103A2s

VTO

Საფეხური ძაბვა

125

1.58

V

რტ

Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

0.15

mΩ

VTM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=5000A, F=70kN 。

60

25

2.60

V

101

25

2.00

dv/dt

Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μS

di/dt

Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM= 67%VDRM 4000A-მდე

Კარიბჭის პულსი tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1200

A/μS

Კრრ

Აღდგენის გადასახადი

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

2500

4000

µC

tq

Სქემის კომუტირებული გამორთვის დრო

ITM=2000A, tp=4000µs, VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-5A/µs

125

60

100

200

µs

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA= 12V, IA= 1A

25

50

300

mA

Vgt

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.8

3.5

V

IH

Შენარჩუნების მიმდინარე

20

1000

mA

IL

Ჩაკეტვის მიმდინარე

1500

mA

VGD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.25

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

Ორმაგი მხარის გაგრილება

0.005

°C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამათბობელზე

0.0015

FM

Მონტაჟის ძალა

81

108

kN

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

140

°C

Wt

Წონა

1880

g

Კონტური

KT100cT