YMIBD500-33,IGBTモジュール,ダブルスイッチIGBT,CRRC

（記号）

（パラメータ）

（試験条件）

（値）

（単位）

総額

集合器-放出器の電圧

V GE = 0V,Tvj = 25°C

3300

V

V GES

ゲート・エミッター・ボルト

± 20

V

I C

コレクタ-エミッタ電流

T ケース = 100 °C, Tvj = 150 °C

500

A

I C(PK)

ピークコレクタ電流

1ms、Tケース = 140 °C

1000

A

P max

最大トランジスタ電力損失

Tvj = 150°C, T ケース = 25 °C

5.2

kW

I 2t

ダイオード

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

80

kA2s

Visol

絶縁電圧 – モジュールごと

基板に共通端子を接続)

AC RMS,1 分, 50Hz

6000

V

Q PD

部分放電 – モジュールごと

IEC1287 について V1 = 3500V,V2 = 2600V,50Hz RMS,TC = 25 °C

10

pC

T 事例 = 25° C T 事例 = 25° C しない限り 明らかにした 違うなら

(シンボル )

（パラメータ）

（試験条件）

(ほんの少し )

(タイプ )

(マックス )

(ユニット )

わかった CES

コレクターの切断電流

V 遺伝子組み換え = 0V V CE = V CES

1

mA

V 遺伝子組み換え = 0V V CE = V CES , T 事例 =125 °C

30

mA

V 遺伝子組み換え = 0V V CE = V CES , T 事例 =150 °C

50

mA

わかった 総エネルギー

ゲート漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = ±20V V CE = 0V

1

微分数

V 遺伝子組み換え (TH)

ゲート 限界電圧

わかった C = 40 mA , V 遺伝子組み換え = V CE

5.50

6.10

7.00

V

V CE (衛星 )ポイント

コレクター・エミッター飽和度 圧力は

V 遺伝子組み換え =15V わかった C = 500A

2.40

2.90

V

V 遺伝子組み換え =15V わかった C = 500A T vj = 125 °C

2.95

3.40

V

V 遺伝子組み換え =15V わかった C = 500A T vj = 150 °C

3.10

3.60

V

わかった F

ダイオード前流

DC

500

A

わかった FRM

ダイオード最大前向き 現在

t P = 1ミリ秒

1000

A

V F ポイント

ダイオード前向き電圧

わかった F = 500A

2.10

2.60

V

わかった F = 500A T vj = 125 °C

2.25

2.70

V

わかった F = 500A T vj = 150 °C

2.25

2.70

V

C ies

入力容量

V CE = 25V V 遺伝子組み換え = 0V f = 1MHz

90

ロープ

Q g

ゲートチャージ

±15V

9

微分

C res

逆転転送能力 引用文

V CE = 25V V 遺伝子組み換え = 0V f = 1MHz

2

ロープ

L M

モジュール インダクタンス

25

nH

R INT

内部トランジスタ抵抗

310

μΩ

わかった SC

ショートサーキット 流量 わかった SC

T vj = 150°C V CC = 2500V V 遺伝子組み換え ≤ 15V t p ≤ 10μs,

V CE (マックス ) = V CES – L ポイント × ディ /dt ,IEC 製造された物

1800

A

消して

オフ遅延時間

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH

V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1720

nS

t f

秋の時間

520

nS

E OFF

切断時のエネルギー損失

780

mJ

オン (オン)

オンする遅延時間

650

nS

について

昇る時間

260

nS

エオン

オンする時のエネルギー損失

730

mJ

Qrr

ダイオード逆回復電荷

I F = 500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

390

微分

I rr

ダイオード逆回復電流

420

A

エレック

ダイオード逆回復エネルギー

480

mJ

（記号）

（パラメータ）

（試験条件）

（最小）

（典型）

(最大)

（単位）

消して

オフ遅延時間

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1860

nS

t f

秋の時間

550

nS

E OFF

切断時のエネルギー損失

900

mJ

オン (オン)

オンする遅延時間

630

nS

について

立ち上がり時間 昇る時間

280

nS

エオン

オンする時のエネルギー損失

880

mJ

Qrr

ダイオード逆回復電荷

I F = 500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

620

微分

I rr

ダイオード逆回復電流

460

A

エレック

ダイオード逆回復エネルギー

760

mJ

（記号）

（パラメータ）

（試験条件）

（最小）

（典型）

(最大)

（単位）

消して

オフ遅延時間

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1920

nS

t f

秋の時間

560

nS

E OFF

切断時のエネルギー損失

1020

mJ

オン (オン)

オンする遅延時間

620

nS

について

昇る時間

280

nS

エオン

オンする時のエネルギー損失

930

mJ

Qrr

ダイオード逆回復電荷

I F = 500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

720

微分

I rr

ダイオード逆回復電流

490

A

エレック

ダイオード逆回復エネルギー

900

mJ