GD100PFX170C6SG、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1700

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 o C @ T C =100 o C

161

100

A

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

200

A

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 o C

592

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

V

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

100

A

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

200

A

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1800

V

わかった O

平均出力電流 5 0Hz／60Hz、正弦波

100

A

わかった FSM

サージ前方電流 t p =10ms @ T j = 25o C @ T j =150 について o C

1600

1400

A

わかった 2t

わかった 2t値,t p =10ms @ T j =25 o C @ T j =150 について o C

13000

9800

A 2s

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

最大接合部温度（インバータ） 最大接合部温度（整流器）

175

150

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

4000

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =100A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C

1.85

2.20

V

わかった C =100A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C

2.25

わかった C =100A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C

2.35

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =4.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25 o C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗

7.5

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

12.0

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.29

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

0.94

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =100A, R G 電気の電圧が 遺伝子組み換え =±15V L S =46 nH , T j =25 o C

257

nS

t r

昇る時間

47

nS

t 消して

切断する 遅延時間

377

nS

t f

秋の時間

382

nS

E on

オン スイッチング 損失

24.6

mJ

E オフ

切断する 損失

16.7

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =100A, R G 電気の電圧が 遺伝子組み換え =±15V L S =46nH、T j =125 について o C

284

nS

t r

昇る時間

56

nS

t 消して

切断する 遅延時間

444

nS

t f

秋の時間

555

nS

E on

オン スイッチング 損失

34.9

mJ

E オフ

切断する 損失

23.1

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =100A, R G 電気の電圧が 遺伝子組み換え =±15V L S =46nH、T j =150 について o C

286

nS

t r

昇る時間

60

nS

t 消して

切断する 遅延時間

465

nS

t f

秋の時間

636

nS

E on

オン スイッチング 損失

38.0

mJ

E オフ

切断する 損失

26.1

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について o C,V CC =1000V, V 単数 ≤1700V

400

A

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =100A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

わかった F =100A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 25o C

1.90

わかった F =100A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50o C

1.95

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =100A,

-di／dt=1590A／μs、V 遺伝子組み換え =15V L S =46 nH , T j =25 o C

13.3

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

107

A

E レス

逆転回復 エネルギー

8.79

mJ

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =100A,

-di／dt=1300A／μs、V 遺伝子組み換え =15V L S =46nH、T j =125 について o C

25.0

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

111

A

E レス

逆転回復 エネルギー

18.6

mJ

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =100A,

-di/dt=1230A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L S =46nH、T j =150 について o C

28.0

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

112

A

E レス

逆転回復 エネルギー

20.4

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった C =100A, T j =150 について o C

0.85

V

わかった R

逆電流

T j =150 について o C,V R =1800V

3.0

mA

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の R 100

T C =100 o C ロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B について 25/50

B値

R 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から

3375

K

B について 25/80

B値

R 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2- 半角形から

3411

K

B について 25/100

B値

R 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2- 半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R thJC

接合 -〜に至るまで -事例 (perIGBT -インバーター ) 接合部-ケース (ダイオードインバータごと ） 接合部からケースまで（ダイオードごと） 整流用

0.253 0.424 0.289

総量

R thCH

事例 -〜に至るまで -熱シンク (perIGBT -インバーター )ケースからヒートシンクまで（ダイオードごと） インバータ用 ケースからヒートシンクまで（ダイオードごと） 整流用 ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.105 0.176 0.120 0.009

総量

M

固定トーク ネジ:M5

3.0

6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g