GD400HTX120P6HL、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

I中国

実装されたコレクター Cu rrent

400

A

IC

コレクタ電流 @ T F =100o C

250

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

800

A

PD

最大電力損失 する @ T F =75o C T j =175o C

862

W

シンボル

説明

バリュー

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧 遺伝子組み換え

1200

V

IFN

実装されたコレクター Cu rrent

400

A

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

250

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

800

A

I2t

I2t値,t p =10ms @ T j =125o C @ T j =150o C

17860

15664

A2秒

シンボル

説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

動作点の温度は連続

30秒の期間内で10秒 発生 最大3000回のライフタイム 私

-40から+150 +150から+175

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 分

3000

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=250A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.45

1.80

V

IC=250A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

1.65

IC=250A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

1.70

IC=380A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.70

IC=380A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

2.15

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=9.75mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗

2.4

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

33.6

ロープ

Cオーエス

輸出容量

1.43

ロープ

Cres

逆転移転 容量

0.82

ロープ

QG

ゲートチャージ

V CE =600V,I C =250A, V 遺伝子組み換え =-8...+15V

1.98

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=250A バー G=2.2Ω L秒 =24nH ,V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T j =25o C

231

nS

t バー

昇る時間

50

nS

t 消して

切断する 遅延時間

545

nS

t f

秋の時間

172

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

19.6

mJ

Eオフ

切断する 損失

23.2

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=250A バー G=2.2Ω L秒 =24nH ,V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T j =125o C

241

nS

t バー

昇る時間

57

nS

t 消して

切断する 遅延時間

619

nS

t f

秋の時間

247

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

26.6

mJ

Eオフ

切断する 損失

28.7

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=250A バー G=2.2Ω L秒 =24nH ,V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T j =150o C

245

nS

t バー

昇る時間

57

nS

t 消して

切断する 遅延時間

641

nS

t f

秋の時間

269

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

30.1

mJ

Eオフ

切断する 損失

30.9

mJ

ISC

SC データ

t P≤6μs V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

1200

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =250A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.50

1.90

V

IF =250A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =125o C

1.45

IF =250A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =150o C

1.40

IF =380A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.65

IF =380A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =150o C

1.60

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =250A

-di/dt=4860A/μs,V 遺伝子組み換え =8V L秒 =24nH ,T j =25o C

9.10

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

160

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

4.39

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =250A

-di/dt=4300A/μs,V 遺伝子組み換え =8V L秒 =24nH ,T j =125o C

21.4

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

192

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

8.43

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =250A

-di/dt=4120A/μs,V 遺伝子組み換え =8V L秒 =24nH ,T j =150o C

25.7

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

203

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

9.97

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の バー 100

T C=100 o Cロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

電力

散熱

20.0

mW

B 25/50

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2— 半角形から

3375

K

B 25/80

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2— 半角形から

3411

K

B 25/100

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2— 半角形から

3433

K

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

8

nH

バー CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.75

mΩ

△p

△V/ △t=10.0 dM 3/分 ,T F =75o C

64

mbar

p

冷却回りの最大圧 キュート

2.5

棒材

バー thJF

接合 —～ —冷却 液体で (perIGBT )結合冷却液 (Dあたり) ヨード)

0.098 0.128

0.116 0.150

総量

分

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク スクロールM4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M<br>

G

重量 の モジュール

750

g