簡単な紹介
溶接スリスタモジュール ,M FC70 ,70A, 空気冷却 ,tECHSEMによって生産されています.
| VDSM、VRSM | VDRM,VRRM | タイプとアウトライン | 
| 900V | 800V | MFC70-08-224H3 | 
| 1100V | 1000V | MFC70-10-224H3 | 
| 1300V | 1200V | MFC70-12-224H3 | 
| 1500V | 1400V | MFC70-14-224H3 | 
| 1700V | 1600V | MFC70-16-224H3 | 
| 1900V | 1800V | MFC70-18-224H3 | 
特徴 :
典型的な用途 :
| 
 シンボル | 
 特徴 | 
 試験条件 | Tj( °C ) | 価値 | 
 ユニット | ||
| ほんの少し | タイプ | マックス | |||||
| IT(AV) | 平均オン状態電流 | 180違う 半正弦波 50Hz 片側冷却、Tc =85 °C | 125 | 
 | 
 | 70 | A | 
| IT(RMS) | RMSオン状態電流 | 125 | 
 | 
 | 110 | A | |
| Idrm Irrm | 繰り返しピーク電流 | vDRMおよびVRRMで | 125 | 
 | 
 | 15 | mA | 
| ITSM | サージオン状態電流 | 10ms半正弦波 VR=60%VRRM | 125 | 
 | 
 | 1.8 | kA | 
| ポイント | 融解調整のためのI2t | 
 | 
 | 16.2 | A 2s* 10 3 | ||
| VTO | 限界電圧 | 
 | 
 125 | 
 | 
 | 0.75 | V | 
| ロープ | オン状態スロープ抵抗 | 
 | 
 | 3.64 | m ω | ||
| VTM | ピークオン状態電圧 | ITM=210A | 25 | 
 | 
 | 1.80 | V | 
| dv/dt | オフステート電圧の急激な上昇率 | VDM=67%VDRM | 125 | 
 | 
 | 1000 | V/ μ s | 
| 
 di/dt | オン状態の電流の上昇の臨界速度 | ゲートソース 1.5A について ≤ 0.5μ s 繰り返し | 
 125 | 
 | 
 | 
 200 | 
 A/ について μ s | 
| IGT | ゲートトリガ電流 | 
 VA= 12V, IA= 1A | 
 25 | 30 | 
 | 200 | mA | 
| Vgt | ゲートトリガ電圧 | 0.6 | 
 | 2.5 | V | ||
| IH | ホールディング電流 | 10 | 
 | 250 | mA | ||
| VGD | 非トリガゲート電圧 | VDM=67%VDRM | 125 | 
 | 
 | 0.2 | V | 
| Rth(j-c) | ジャンクションからケースへの熱抵抗 | チップごとに単側冷却 | 
 | 
 | 
 | 0.35 | °C /W | 
| Rth(c-h) | ケースからヒートシンクまでの熱抵抗 | チップごとに単側冷却 | 
 | 
 | 
 | 0.15 | °C /W | 
| ヴィソ | 絶縁電圧 | 50Hz,R.M.S,t= 1分,Iiso:1mA(MAX) | 
 | 3000 | 
 | 
 | V | 
| Fm | 熱接続トルク(M5) | 
 | 
 | 2.5 | 
 | 4.0 | N ·m | 
| 取り付けトルク(M6) | 
 | 
 | 4.0 | 
 | 6.0 | N ·m | |
| Tvj | 接合温度 | 
 | 
 | -40 | 
 | 125 | °C | 
| ターゲット・ストーブ | 保存温度 | 
 | 
 | -40 | 
 | 125 | °C | 
| ワット | 重量 | 
 | 
 | 
 | 100 | 
 | g | 
| 概要 | 224H3 | ||||||


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