IGBTモジュール、YMIF1500-33 | I1-03、単一スイッチIGBT、48mm、CRRC

パラメータ

符号

条件

最小値

特性値

最大値

単 位

ゲート－エミッタ短絡時の コレクタ－エミッタ電圧

V (BR )CES

V 遺伝子組み換え =0V わかった C =10 mA ,T vj =25°C

3300

V

コレクタ－エミッタ 飽和電圧

V CEsat

わかった C =1500A,V 遺伝子組み換え =15V

T vj =25°C

24

2.9

V

T vj =125°C

2.95

3.4

V

T vj =150°C

3.1

3.6

集電極カットオフ電流

わかった CES

V CE =3300V,V 遺伝子組み換え =0V

T vj =25°C

1

mA

T vj =125°C

90

mA

T vj =150°C

150

ゲートリーク電流

わかった 総エネルギー

V CE =0V V 遺伝子組み換え = ± 20V, T vj =125°C

1

uA

ゲート－エミッタ閾値電圧

V 遺伝子組み換え (tH )

わかった C =240 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え ,T vj =25°C

5.5

7

V

ゲートチャージ

Q G

わかった C =1500A,V CE =1800V, V 遺伝子組み換え =-15V..15V

25

µC

输入電容量

C ies

V CE =25V,V 遺伝子組み換え =0V,f=1MHz, T vj =25°C

260

ロープ

逆伝送容量

C res

6

オン遅延

t オンに

V CC =1800V,I C =1500A,

V 遺伝子組み換え =±15V,Cge=330nF,

R G （on ）=1.0 ω ロープ G （オフ ）=1.5 ω ,

L σ =150nH

インダクティブ負荷

T vj =25°C

750

nS

T vj =125°C

730

T vj =150°C

730

立ち上がり時間

t r

T vj =25°C

340

T vj =125°C

360

T vj =150°C

360

シャットダウン遅延

t 消して

V CC =1800V,I C =1500A,

V 遺伝子組み換え =±15V,Cge=330nF,

R G （on ）=1.0 ω ロープ G （オフ ）=1.5 ω ,

L σ =150nH

インダクティブ負荷

T vj =25°C

2100

nS

T vj =125°C

2250

T vj =150°C

2290

下降時間

t f

T vj =25°C

540

T vj =125°C

570

T vj =150°C

580

オンエネルギー

E on

V CC =1800V,I C =1500A,

V 遺伝子組み換え =±15V,Cge=330nF,

R G （on ）=1.0 ω ロープ G （オフ ）=1.5 ω ,

L σ =150nH

インダクティブ負荷

T vj =25°C

1450

mJ

T vj =125°C

1900

T vj =150°C

2100

シャットダウンエネルギー

E オフ

V CC =1800V,I C =1500A,

V 遺伝子組み換え =±15V,Cge=330nF,

R G （on ）=1.0 ω ロープ G （オフ ）=1.5 ω ,

L σ =150nH

インダクティブ負荷

T vj =25°C

2400

mJ

T vj =125°C

2950

T vj =150°C

3200

パラメータ

符号

条件

最小値

特性値

最大値

単位

ダイオード順方向平均電圧

V F

わかった F =1500A

T vj =25°C

2.15

2.6

V

T vj =125°C

2.25

2.7

T vj =150°C

2.25

2.7

反向復電流

わかった ロープ

V CC =1800V,

わかった C =1500A,

d iF /dt=4800A/

米国

T vj =25°C

1250

A

T vj =125°C

1420

A

T vj =150°C

1150

反向復電荷

Q ロープ

T vj =25°C

880

µC

T vj =125°C

1800

µC

T vj =150°C

1980

逆回復エネルギー

E レス

T vj =25°C

1550

mJ

T vj =125°C

2450

T vj =150°C

2720